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二维材料MoS2发光增强的缺陷工程研究

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 绪论第8-28页
   ·硫化钼研究的背景和意义第8页
   ·硫化钼的基本信息第8-12页
     ·硫化钼的基本结构和能带结构第8-10页
     ·硫化钼的物理性质第10-11页
     ·硫化钼的光学性质第11-12页
   ·硫化钼目前研究进展和应用第12-21页
     ·硫化钼在晶体管中的应用第12-15页
     ·硫化钼在光电领域的应用第15-17页
     ·硫化钼在气敏传感器和生物传感器中的研究第17-21页
   ·硫化钼的制备方法第21-24页
     ·微机械剥离法第21-22页
     ·自上而下的剥离法第22-23页
     ·自下而上的合成法第23-24页
   ·本文选题意义及主要内容第24-25页
 参考文献第25-28页
第二章 缺陷引入对硫化钼光学性质影响的研究第28-37页
   ·引言第28页
   ·实验部分第28-30页
     ·单层硫化钼的制备第28-30页
     ·单层硫化钼不同退火条件下的光学表征第30页
   ·实验结果与讨论第30-35页
   ·本章小结第35-36页
 参考文献第36-37页
第三章 过氧化氢对硫化钼光学性质影响的研究第37-49页
   ·引言第37页
   ·激子和多激子对硫化钼光学性质的影响第37-40页
   ·过氧化氢处理后硫化钼光学性质的变化第40-47页
   ·本章小结第47页
 参考文献第47-49页
第四章 氢化碳化硅薄膜的制备、光学性质和三维纳米线结构发光增强的研究第49-58页
   ·引言第49-50页
   ·氢化碳化硅薄膜制备与表征第50-51页
   ·实验结果与讨论第51-56页
   ·本章小结第56页
 参考文献第56-58页
第五章 结论与展望第58-60页
   ·结论第58-59页
   ·展望第59-60页
攻读硕士期间学术论文发表情况第60-61页
致谢第61-62页

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