| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 氧化铜的特性 | 第9-11页 |
| 1.2.1 氧化铜的晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 氧化铜的光电特性 | 第10页 |
| 1.2.3 氧化铜的其他特性 | 第10-11页 |
| 1.3 氧化铜的应用 | 第11-12页 |
| 1.3.1 氧化铜薄膜太阳能电池 | 第11-12页 |
| 1.4 氧化铜的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.5 氧化铜薄膜的制备方法 | 第14-18页 |
| 1.5.1 脉冲激光沉积法 | 第14页 |
| 1.5.2 磁控溅射法 | 第14-15页 |
| 1.5.3 热蒸发法 | 第15-16页 |
| 1.5.4 化学气相沉积法 | 第16-17页 |
| 1.5.5 溶胶凝胶法 | 第17-18页 |
| 1.6 本论文主要研究内容 | 第18-21页 |
| 第2章 氧化铜薄膜的制备过程及表征 | 第21-31页 |
| 2.1 脉冲激光沉积实验装置 | 第21-24页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积的基本过程 | 第21-23页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积系统 | 第23-24页 |
| 2.2 氧化铜薄膜的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.1 衬底的预处理 | 第24页 |
| 2.2.2 氧化铜靶材的制备 | 第24页 |
| 2.2.3 氧化铜薄膜的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.4 氧化铜薄膜的退火 | 第25页 |
| 2.3 氧化铜薄膜的表征 | 第25-31页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪 | 第25-26页 |
| 2.3.2 紫外可见近红外分光光度计 | 第26-27页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱 | 第27页 |
| 2.3.4 Hall测试 | 第27-29页 |
| 2.3.5 薄膜膜厚的测试 | 第29-31页 |
| 第3章 衬底温度对氧化铜薄膜性能的影响 | 第31-39页 |
| 3.1 实验过程 | 第31页 |
| 3.2 衬底温度对氧化铜薄膜结构的影响 | 第31-33页 |
| 3.3 衬底温度对氧化铜薄膜光学性能的影响 | 第33-34页 |
| 3.4 氧化铜薄膜的成分分析 | 第34-36页 |
| 3.5 衬底温度对氧化铜薄膜电学性能的影响 | 第36-37页 |
| 3.6 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 锂掺杂浓度对氧化铜薄膜性能的影响 | 第39-47页 |
| 4.1 锂掺杂浓度对氧化铜薄膜性能的影响 | 第39-45页 |
| 4.1.1 锂掺杂浓度对氧化铜薄膜结构的影响 | 第39-42页 |
| 4.1.2 锂掺杂浓度对氧化铜薄膜光学性能的影响 | 第42-44页 |
| 4.1.3 锂掺杂浓度对氧化铜薄膜电学性能的影响 | 第44-45页 |
| 4.2 本章小结 | 第45-47页 |
| 第5章 退火对掺锂氧化铜薄膜性能的影响 | 第47-59页 |
| 5.1 退火温度对掺锂氧化铜薄膜的性能影响 | 第47-50页 |
| 5.1.1 退火温度对掺锂氧化铜薄膜晶体结构的影响 | 第48页 |
| 5.1.2 退火温度对掺锂氧化铜薄膜光学性能的影响 | 第48-49页 |
| 5.1.3 退火温度对掺锂氧化铜薄膜电学性能的影响 | 第49-50页 |
| 5.2 退火时间对掺锂氧化铜薄膜性能的影响 | 第50-55页 |
| 5.2.1 500℃退火时间对掺锂氧化铜薄膜的性能影响 | 第50-52页 |
| 5.2.2 700℃退火时间对掺锂氧化铜薄膜的性能影响 | 第52-55页 |
| 5.3 退火气氛对掺锂氧化铜薄膜性能的影响 | 第55-58页 |
| 5.3.1 500℃氮气氛与氧气氛退火对掺锂氧化铜薄膜的性能影响 | 第55-56页 |
| 5.3.2 700℃氮气氛与氧气氛退火对掺锂氧化铜薄膜的性能影响 | 第56-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第6章 总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第71页 |
