| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 AlGaN/GaN异质结 | 第9-13页 |
| 1.2.1 AlGaN/GaN异质结的应用 | 第10-12页 |
| 1.2.1.1 高电子迁移率晶体管 | 第10-11页 |
| 1.2.1.2 紫外激光探测器 | 第11页 |
| 1.2.1.3 发光器件 | 第11-12页 |
| 1.2.2 AlGaN/GaN异质结存在的问题 | 第12-13页 |
| 1.3 AlInN/Ga N异质结 | 第13-16页 |
| 1.3.1 AlInN/GaN异质结的生长条件 | 第13页 |
| 1.3.2 AlInN/GaN异质结的电输运性能 | 第13-15页 |
| 1.3.3 AlInN/GaN异质结磁输运性质的研究现状 | 第15页 |
| 1.3.4 AlInN/GaN异质结存在的问题 | 第15-16页 |
| 1.4 二维电子气的磁输运理论 | 第16-25页 |
| 1.4.1 二维电子气的发现 | 第16页 |
| 1.4.2 2DEG的经典输运理论 | 第16-18页 |
| 1.4.3 2DEG的量子输运理论 | 第18-23页 |
| 1.4.3.1 朗道能级 | 第18-19页 |
| 1.4.3.1 量子霍尔效应 | 第19-20页 |
| 1.4.3.2 SdH振荡(Shubnikov-de Haas oscillations) | 第20-23页 |
| 1.4.4 GaN基异质结 2DEG的散射机制 | 第23-25页 |
| 1.5 本论文研究的主要内容 | 第25-26页 |
| 第二章 样品的制备与测量手段 | 第26-35页 |
| 2.1 金属有机化学气相沉积法（MOCVD） | 第26-28页 |
| 2.1.1 MOCVD系统的组成 | 第26-27页 |
| 2.1.2 MOCVD系统生长原理 | 第27-28页 |
| 2.2 干法刻蚀 | 第28-30页 |
| 2.3 样品制备和微加工过程 | 第30-31页 |
| 2.4 综合物性测量系统（PPMS） | 第31-32页 |
| 2.5 磁输运测量方法 | 第32-35页 |
| 2.5.1 标准霍尔法 | 第32页 |
| 2.5.2 范德堡法 | 第32-35页 |
| 第三章 AlGaN/ GaN与AlIn N/AlN/GaN异质结输运性质对比 | 第35-46页 |
| 3.1 AlGaN/GaN与Al InN/AlN/GaN异质结的电输运性质对比 | 第36-38页 |
| 3.2 AlGaN/GaN与Al InN/AlN/GaN异质结的磁阻振荡 | 第38-40页 |
| 3.3 AlGaN/GaN与Al InN/AlN/GaN异质结的有效质量 | 第40-41页 |
| 3.4 AlGaN/GaN与Al InN/AlN/GaN异质结的散射机制 | 第41-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 GaN插入层对Al InN/AlN/GaN异质结输运性质的影响 | 第46-59页 |
| 4.1 AlInN/AlN/GaN异质结表面形貌 | 第47-48页 |
| 4.2 AlInN/AlN/GaN异质结能带结构和载流子波函数 | 第48-49页 |
| 4.3 GaN插入层对AlInN/AlN/GaN异质结电输运性质的影响 | 第49-52页 |
| 4.4 GaN插入层对AlInN/AlN/GaN异质结Sd H振荡的影响 | 第52-54页 |
| 4.5 GaN插入层对AlInN/AlN/GaN异质结载流子有效质量的影响 | 第54-56页 |
| 4.6 GaN插入层对AlInN/AlN/GaN异质结散射机制的影响 | 第56-57页 |
| 4.7 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
