| 摘要 | 第7-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-58页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 ZnO的基本性质 | 第13-26页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第13-15页 |
| 1.2.2 能带结构 | 第15-18页 |
| 1.2.3 电学和光学性质 | 第18-26页 |
| 1.3 ZnO的本征缺陷和掺杂 | 第26-44页 |
| 1.3.1 本征缺陷 | 第28-33页 |
| 1.3.2 n型掺杂 | 第33-34页 |
| 1.3.3 p型掺杂 | 第34-44页 |
| 1.4 一维ZnO纳米结构的制备、性能与应用 | 第44-56页 |
| 1.4.1 一维ZnO纳米结构的制备 | 第45-48页 |
| 1.4.2 一维ZnO纳米结构的性能与应用 | 第48-56页 |
| 1.5 论文的研究思路和内容 | 第56-58页 |
| 第二章 ZnO微纳米柱阵列的制备及性质 | 第58-76页 |
| 2.1 CVD法制备ZnO微纳米柱阵列 | 第58-62页 |
| 2.1.1 生长实验前的准备工作 | 第58-59页 |
| 2.1.2 生长条件的优化 | 第59-61页 |
| 2.1.3 ZnO微纳米柱阵列的制备 | 第61-62页 |
| 2.2 ZnO微纳米柱阵列的性质研究 | 第62-75页 |
| 2.2.1 表征手段 | 第62-65页 |
| 2.2.2 ZnO微纳米柱阵列的性质 | 第65-75页 |
| 2.3 本章小结 | 第75-76页 |
| 第三章 N掺杂ZnO微纳米柱阵列的制备和性质 | 第76-94页 |
| 3.1 CVD法制备N掺杂的ZnO微纳米柱阵列 | 第77-78页 |
| 3.2 N掺杂ZnO微纳米柱阵列的性质 | 第78-93页 |
| 3.2.1 形貌和结构性质 | 第78-80页 |
| 3.2.2 晶格振动 | 第80-82页 |
| 3.2.3 光学性质 | 第82-93页 |
| 3.3 本章小结 | 第93-94页 |
| 第四章 N掺杂ZnO微纳米柱内本征缺陷的有效调控 | 第94-109页 |
| 4.1 样品的制备 | 第95-96页 |
| 4.2 不同N_2O流量下N掺杂ZnO微纳米柱阵列样品的性质 | 第96-108页 |
| 4.2.1 XRD表征 | 第96-98页 |
| 4.2.2 Raman表征 | 第98-100页 |
| 4.2.3 PL表征 | 第100-104页 |
| 4.2.4 XPS和EPR表征 | 第104-108页 |
| 4.3 本章小结 | 第108-109页 |
| 第五章 N掺杂ZnO微米柱内V_(Zn)相关受主缺陷的核壳结构分布 | 第109-123页 |
| 5.1 样品的基本性质 | 第110-118页 |
| 5.1.1 结构性质 | 第110-113页 |
| 5.1.2 光学性质 | 第113-115页 |
| 5.1.3 电学性质 | 第115-118页 |
| 5.2 V_(Zn)相关受主缺陷的核壳结构分布 | 第118-122页 |
| 5.3 本章小结 | 第122-123页 |
| 第六章 Te-N共掺杂的ZnO微纳米柱阵列的制备和性质 | 第123-136页 |
| 6.1 样品的制备 | 第124-125页 |
| 6.2 Te-N共掺ZnO微纳米柱阵列的性质 | 第125-135页 |
| 6.2.1 化学组态 | 第125-128页 |
| 6.2.2 结构性质 | 第128-129页 |
| 6.2.3 晶格振动 | 第129-131页 |
| 6.2.4 光学性质 | 第131-135页 |
| 6.3 本章小结 | 第135-136页 |
| 第七章 结论 | 第136-138页 |
| 参考文献 | 第138-154页 |
| 发表论文和会议报告 | 第154-155页 |
| 致谢 | 第155-156页 |
