| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-38页 |
| 1.1 ZnO的基本性质 | 第10-11页 |
| 1.2 p型ZnO薄膜的制备与相关理论 | 第11-16页 |
| 1.2.1 ZnO的本征缺陷 | 第11-14页 |
| 1.2.2 ZnO的p型掺杂 | 第14-16页 |
| 1.3 ZnO的量子阱与超晶格结构 | 第16-22页 |
| 1.3.1 量子阱与超晶格的基本概念 | 第16-17页 |
| 1.3.2 量子阱与超晶格的能带模型 | 第17-19页 |
| 1.3.3 量子阱的激子与超晶格内部的电子运动 | 第19-20页 |
| 1.3.4 ZnO基量子阱与超晶格 | 第20-22页 |
| 1.4 ZnO的结器件研究进展 | 第22-35页 |
| 1.4.1 发光二极管(LED) | 第22-31页 |
| 1.4.2 激光二极管(LD) | 第31-34页 |
| 1.4.3 光敏探测器 | 第34-35页 |
| 1.5 本论文的研究内容及意义 | 第35-38页 |
| 第二章 ZnO p-n结器件的PLD制备方法及相关测试技术 | 第38-52页 |
| 2.1 脉冲激光沉积概述 | 第38-39页 |
| 2.2 脉冲激光沉积原理 | 第39-40页 |
| 2.3 脉冲激光沉积系统 | 第40-41页 |
| 2.4 相关表征技术 | 第41-49页 |
| 2.4.1 X射线衍射(XRD) | 第41-42页 |
| 2.4.2. 电学性能测试 | 第42-45页 |
| 2.4.3 扫描电镜(SEM) | 第45-47页 |
| 2.4.4 光致发光谱(PL) | 第47-48页 |
| 2.4.5 紫外可见分光光度计(UV-Vis spectroscopy) | 第48-49页 |
| 2.5 实验主要工艺过程 | 第49-52页 |
| 2.5.1 靶材制备过程 | 第49-50页 |
| 2.5.2 衬底的选择和清洗 | 第50页 |
| 2.5.3 薄膜的制备 | 第50-52页 |
| 第三章 ZnO/ZMO薄膜的研究 | 第52-72页 |
| 3.1 制备与表征 | 第52-53页 |
| 3.1.1 ZnO/ZMO薄膜样品靶材的制备 | 第52页 |
| 3.1.2 ZnO/ZMO薄膜的制备与表征 | 第52-53页 |
| 3.2 ZnO/ZMO组分与微结构 | 第53-61页 |
| 3.2.1 ZnO/ZMO样品组分确定 | 第53-54页 |
| 3.2.2 ZnO/ZMO样品微结构分析 | 第54-61页 |
| 3.3 ZnO/ZMO薄膜的光学性能 | 第61-67页 |
| 3.3.1 ZnO/ZMO薄膜的吸收谱分析 | 第61-64页 |
| 3.3.2 ZnO/ZMO薄膜光致发光谱分析 | 第64-67页 |
| 3.4 ZnO/ZMO薄膜的电学性能 | 第67-70页 |
| 3.5 本章总结 | 第70-72页 |
| 第四章 ZnMgO多量子势垒 | 第72-84页 |
| 4.1 ZnMgO多量子势垒薄膜的制备与表征 | 第72-74页 |
| 4.1.1 ZnMgO多量子势垒薄膜靶材的制备 | 第72-73页 |
| 4.1.2 ZnMgO多量子势垒薄膜的制备 | 第73-74页 |
| 4.2 ZnMgO多量子势垒样品的微结构分析 | 第74-77页 |
| 4.2.1 ZnMgO多量子势垒薄膜的微结构分析 | 第74-77页 |
| 4.2.2 ZnMgO多量子势垒薄膜的电镜分析 | 第77页 |
| 4.3 ZnMgO多量子势垒薄膜的光学性能 | 第77-80页 |
| 4.3.1 ZnMgO多量子势垒薄膜的吸收谱分析 | 第77-80页 |
| 4.3.2 ZnMgO多量子势垒薄膜的光致发光谱分析 | 第80页 |
| 4.4 ZnMgO多量子势垒薄膜的电学性能 | 第80-82页 |
| 4.5 本章总结 | 第82-84页 |
| 第五章 ZnMgO多量子势垒对ZnO p-n结器件性能的提升 | 第84-102页 |
| 5.1 两种ZnO p-n结器件的制备 | 第84-86页 |
| 5.1.1 靶材的制备 | 第84页 |
| 5.1.2 ZnO p-n结器件H与内嵌ZnMgO量子势垒ZnO p-n结Q器件的制备 | 第84-86页 |
| 5.2 H与Q系列微结构的比较分析 | 第86-89页 |
| 5.2.1 H与Q系列XRD图谱比较 | 第86-88页 |
| 5.2.2 Q系列XRD图谱比较 | 第88-89页 |
| 5.3 ZnMgO多量子势垒对ZnO p-n结的光增益 | 第89-93页 |
| 5.3.1 H与Q系列吸收谱的测试分析 | 第89-90页 |
| 5.3.2 H与Q系列光致发光谱测试的测试分析 | 第90-93页 |
| 5.4 ZnMgO多量子势垒对ZnO p-n结的电学特性提升 | 第93-98页 |
| 5.4.1 电极制备的具体说明 | 第93-94页 |
| 5.4.2 I-V曲线测试 | 第94-97页 |
| 5.4.3 Q系列反向击穿电压的分析 | 第97-98页 |
| 5.5 霍尔效应测试 | 第98-99页 |
| 5.6 Q系列样品的能带结构分析 | 第99-100页 |
| 5.7 关于Q_1的霍尔效应测试的讨论 | 第100-101页 |
| 5.8 本章总结 | 第101-102页 |
| 第六章 总结 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-114页 |
| 致谢 | 第114-116页 |
| 攻读博士期间获得的成果 | 第116页 |
