| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.1.1 纳米材料与特性 | 第12-13页 |
| 1.2 一维半导体纳米材料的合成方法 | 第13-21页 |
| 1.2.1 液相生长法 | 第14-16页 |
| 1.2.2 气相生长法 | 第16-21页 |
| 1.3 InP半导体纳米材料 | 第21-27页 |
| 1.3.1 InP的结构 | 第21页 |
| 1.3.2 一维InP纳米结构的合成 | 第21-22页 |
| 1.3.3 一维InP纳米结构的应用 | 第22-27页 |
| 1.4 本文的选题意义及研究内容 | 第27-29页 |
| 第2章 高质量InP纳米线的CVD制备 | 第29-38页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 实验部分 | 第29-32页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第29-30页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第30页 |
| 2.2.3 高结晶度InP纳米线的制备 | 第30-31页 |
| 2.2.4 高质量InP纳米线的表征 | 第31-32页 |
| 2.3 结果与分析 | 第32-37页 |
| 2.3.1 InP纳米线的SEM表征结果与分析 | 第32-33页 |
| 2.3.2 InP纳米线的AFM表征结果与分析 | 第33页 |
| 2.3.3 InP纳米线的XRD表征结果与分析 | 第33-34页 |
| 2.3.4 InP纳米线的TEM表征结果与分析 | 第34-35页 |
| 2.3.5 InP纳米线的光学性质表征结果与分析 | 第35-36页 |
| 2.3.6 高质量InP纳米线的形成机理分析 | 第36-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 高质量InP纳米线光探测器 | 第38-48页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 实验部分 | 第39-42页 |
| 3.2.1 实验原料 | 第39页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第39-40页 |
| 3.2.3 InP纳米线场效应晶体管和光探测器的制作 | 第40-42页 |
| 3.3 结果与分析 | 第42-47页 |
| 3.3.1 InP纳米线的电输运性能测试结果与分析 | 第42-44页 |
| 3.3.2 InP纳米线的光探测性能测试结果与分析 | 第44-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 InP纳米线平面阵列的导向生长与光探测研究 | 第48-57页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 实验部分 | 第49-51页 |
| 4.2.1 实验原料 | 第49页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第49-50页 |
| 4.2.3 InP纳米线阵列的平面导向生长 | 第50-51页 |
| 4.2.4 导向生长InP纳米线阵列的表征 | 第51页 |
| 4.3 结果与分析 | 第51-55页 |
| 4.3.1 导向InP纳米线阵列的基本形貌表征结果与分析 | 第51-52页 |
| 4.3.2 导向InP纳米线阵列的AFM表征结果与分析 | 第52-53页 |
| 4.3.3 导向InP纳米线阵列的元素和XRD表征结果与分析 | 第53页 |
| 4.3.4 导向InP纳米线阵列的光学性质表征结果与分析 | 第53-54页 |
| 4.3.5 导向InP纳米线阵列的光电性质表征结果与分析 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 结论和展望 | 第57-59页 |
| 1、结论 | 第57-58页 |
| 2、展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-70页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
