| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| §1.1 红外光电应用与窄禁带半导体 | 第12-14页 |
| §1.2 窄禁带III-V族Sb化物的工程价值 | 第14-16页 |
| §1.3 稀Bi半导体的发展现状 | 第16-18页 |
| §1.4 红外光致发光 (PL) 和光调制反射 (PR) 光谱基本背景 | 第18-21页 |
| §1.5 本论文的主要研究内容 | 第21-24页 |
| 第二章 半导体体光谱学相关理论基础 | 第24-38页 |
| §2.1 半导体的光学跃迁 | 第24-32页 |
| ·量子力学描述 | 第24-25页 |
| ·带间跃迁PL线型 | 第25-27页 |
| ·PL的洛伦兹-高斯线型 | 第27-29页 |
| ·PR调制机制 | 第29-30页 |
| ·PR的洛伦兹导数线型 | 第30-32页 |
| §2.2 低维半导体能带结构 | 第32-37页 |
| ·I类和II类能带结构 | 第32-33页 |
| ·带阶的模型-固体理论 | 第33-34页 |
| ·能带的包络函数近似和k·p近似 | 第34-37页 |
| §2.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 红外调调制光谱技术原理和方法 | 第38-46页 |
| §3.1 傅立叶变换红外 (FTIR) 光谱仪 | 第38-40页 |
| ·构造与工作原理 | 第38-39页 |
| ·性能优势 | 第39-40页 |
| §3.2 基于FTIR光谱仪的红外PL和PR光谱方法 | 第40-44页 |
| ·FTIR-PL方法 | 第40-42页 |
| ·FTIR-PR方法 | 第42-44页 |
| §3.3 变条件光谱测试 | 第44-45页 |
| §3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 红外调调制光谱研究III-V族族窄禁带锑化物电子结构和界面特性 | 第46-76页 |
| §4.1 变温红外PR研究In Sb薄膜带边电子结构 | 第47-54页 |
| ·PR光谱信号真实性检验 | 第48-49页 |
| ·PR光谱特征能量温度演化 | 第49-52页 |
| ·近带边束缚能级和共振能级 | 第52-54页 |
| §4.2 PL分析类In Sb界面In As/Ga Sb超晶格退火温度效应 | 第54-63页 |
| ·变温PL实验结果 | 第56-59页 |
| ·超晶格界面原子交换模型 | 第59-63页 |
| §4.3 磁光-PL研究不同界面类型In Ga Sb/In As/Al Sb量子阱 | 第63-74页 |
| ·样品描述和实验细节 | 第64-65页 |
| ·局域态的磁光-PL演化特性 | 第65-69页 |
| ·非局域态磁光-PL演化特性 | 第69-70页 |
| ·界面类型与磁光-PL演化现象的解释 | 第70-74页 |
| §4.4 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 红外调调制光谱研究Ga Sb(Bi) 量量子阱铋掺入效应 | 第76-98页 |
| §5.1 PL研究Ga Sb(Bi) 量子阱生长温度效应 | 第77-86页 |
| ·量子阱组分和界面的PL研究条件 | 第77-78页 |
| ·含Bi量子阱PL能量反常蓝移 | 第78-80页 |
| ·磁光-PL线型劈裂和准二维退磁移动 | 第80-84页 |
| ·稀Bi量子阱唯像模型 | 第84-86页 |
| §5.2 PR研究Ga Sb Bi单量子阱的Bi致电子能级移动 | 第86-93页 |
| ·Ga Sb(Bi) 单量子阱PR光谱拟合分析 | 第87-89页 |
| ·Ga Sb(Bi) 量子阱模型-固体理论与实验结果对比 | 第89-91页 |
| ·Ga Sb(Bi) 量子阱带边移动 | 第91-93页 |
| §5.3 Bi抑制Ga Sb(Bi) 量子阱俄歇复合 | 第93-96页 |
| ·量子阱PL强度的温度猝灭 | 第93-95页 |
| ·PL积分强度随激发功率演化 | 第95-96页 |
| §5.4 本章小结 | 第96-98页 |
| 第六章 Ga As(Sb)/In As反反量子点和In PBi的的红外PL光光谱初探 | 第98-112页 |
| §6.1 In PBi的红外PL光谱探索 | 第98-103页 |
| ·Bi组分依赖的PL光谱 | 第98-101页 |
| ·In P0.9887Bi0.0113变温PL光谱 | 第101-102页 |
| ·PL特征的可能来源 | 第102-103页 |
| §6.2 Ga As(Sb)/In As反量子点红外PL光谱探索 | 第103-110页 |
| ·样品生长和结构描述 | 第103-104页 |
| ·Si掺杂样品的变温PL光谱 | 第104-107页 |
| ·特征HEF的可能来源 | 第107-110页 |
| §6.3 本章小结 | 第110-112页 |
| 第七章 总结和和展望 | 第112-114页 |
| §7.1 总结 | 第112-113页 |
| §7.2 展望 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-126页 |
| 作者简介及在学期间取得成果 | 第126-127页 |
