| 摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·低维半导体材料简介 | 第10-15页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·超晶格与量子阱材料 | 第11-14页 |
| ·量子线与量子点材料 | 第14-15页 |
| ·量子点器件发展与应用 | 第15-17页 |
| ·III/V族量子点材料国内外研究现状 | 第17-19页 |
| ·论文研究意义 | 第19-20页 |
| ·论文结构 | 第20-21页 |
| 第二章 实验仪器与研究基础 | 第21-44页 |
| ·分子束外延-扫描隧道显微镜联合系统 | 第21-29页 |
| ·分子束外延设备与技术特点 | 第21-25页 |
| ·固体源分子束外延生长过程与关键因素 | 第25-26页 |
| ·扫描探针显微镜 | 第26-29页 |
| ·半导体材料生长机制 | 第29-35页 |
| ·三种经典生长模式 | 第29-31页 |
| ·熟化理论 | 第31-33页 |
| ·异质外延生长模式 | 第33-35页 |
| ·实验研究基础 | 第35-43页 |
| ·GaAs（001）同质外延生长、表面形貌与重构 | 第35-39页 |
| ·In As（001）同质外延生长、表面形貌与重构 | 第39-41页 |
| ·In0.14Ga0.86As/GaAs异质外延薄膜 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章单层InGaAs量子点可控制生长 | 第44-67页 |
| ·单层量子点生长工艺 | 第44-53页 |
| ·S-K生长模式自组装与液滴外延生长模式自组装 | 第44-46页 |
| ·衬底温度与组份对量子点形成的影响 | 第46-49页 |
| ·表面形貌对量子点形成的影响 | 第49-51页 |
| ·衬底温度、退火时间对液滴法量子点生长的影响 | 第51-53页 |
| ·量子点尺寸的控制 | 第53-59页 |
| ·衬底温度与量子点尺寸的关系 | 第53-57页 |
| ·退火与量子点尺寸的关系 | 第57-59页 |
| ·量子点密度的控制 | 第59-63页 |
| ·高密度量子点（生长方式、沉积量） | 第60页 |
| ·低密度量子点生长 | 第60-63页 |
| ·液滴外延刻蚀法生长量子点 | 第63-66页 |
| ·Ga液滴刻蚀模板 | 第63-64页 |
| ·基于Ga液滴刻蚀模板生长量子点 | 第64-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 第四章 多层InGaAs量子点可控制生长 | 第67-84页 |
| ·多层量子点生长工艺 | 第67-69页 |
| ·量子点空间分布调控 | 第69-79页 |
| ·多层堆叠量子点顶层形貌演变 | 第69-71页 |
| ·间隔层对多层量子点空间分布影响 | 第71-74页 |
| ·竖直成链与侧向成链分布量子点 | 第74-79页 |
| ·量子点层几何特征的控制 | 第79-82页 |
| ·量子点尺寸与高度 | 第79-81页 |
| ·量子点的形状 | 第81-82页 |
| ·量子点层的密度与均匀性 | 第82-83页 |
| ·小结 | 第83-84页 |
| 第五章 量子点材料的应变研究 | 第84-103页 |
| ·量子点应变理论与实验研究 | 第84-85页 |
| ·单层量子点表面应变 | 第85-95页 |
| ·量子点生长过程 | 第85-87页 |
| ·量子点退火中的表面应变 | 第87-91页 |
| ·量子点表面微观形貌 | 第91-92页 |
| ·量子点的退化 | 第92-95页 |
| ·多层量子点结构中应变分析 | 第95-102页 |
| ·竖直成链多层量子点间隔层应变场 | 第95-98页 |
| ·侧向成链多层量子点间隔层应变场 | 第98-102页 |
| ·小结 | 第102-103页 |
| 第六章 总结与展望 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
| 攻读博士学位期间发表论文情况 | 第117-118页 |