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化合物半导体
三维生长工艺对GaN外延层质量和阱厚对InGaN/GaN多量子阱光学性能的影响
碳化硅功率器件关键工艺研究
ZnO薄膜光电性能调控技术研究
Ⅱ-Ⅵ半导体核壳纳米晶、掺杂纳米晶的调控合成及性能研究：阳离子交换反应的新应用
ALD法制备AZO薄膜及光电性质研究
基于金属氧化物半导体的人工光合作用
微纳结构材料的制备及其应用性能研究
HgCdTe表面/界面光电特性研究
CdZnTe材料缺陷特性及热处理技术研究
溅射制备铜锌锡硫薄膜及其CZTS/In2S3异质结的初步研究
LiF修饰改善TiO2纳米材料光电性能的研究
Cu掺杂ZnO薄膜结构及性能的研究
不同形貌纳米Bi2O2CO3的制备及光催化性能研究
In2O3稀磁氧化物半导体的局域结构与磁、输运性能
金属/SiC半导体接触的SiC表面等离子体改性研究
Ga2O3薄膜的电子束蒸发制备与掺杂及其性质研究
锌基光催化剂的制备、表征及其性能研究
微测辐射热计用V2O5薄膜的制备及性能研究
电沉积法制备硫系化合物薄膜材料及其光电性质的研究
氧化锌及其复合半导体材料的制备、表征与性能研究
退火方式对Ni/SiC欧姆接触的影响
半导体及多铁材料的磁性研究
3d过渡金属基Ⅱ-Ⅵ族半导体缺陷特性的理论研究
掺杂锐钛矿相TiO2的第一性原理研究
掺杂ZnO的第一性原理研究
氧化锌电子结构的理论研究
钴掺杂氧化锌的第一性原理研究
GaSb基金属/半导体接触势垒调制的技术研究
Zn扩散制备GaSb PN结的工艺及物性研究
InP材料表面改性及光学性质研究
化合物半导体缺陷物理及表面激发态动力学的第一性原理研究
ZnO微米线异质结发光器件的制备及研究
TiO2@NaYF4:Yb,Tm核壳结构红外光催化材料的设计、制备及其光催化性质的研究
SiC半导体材料抗辐照特性研究
多孔金属氧化物半导体材料的合成及其性能研究
ZnTe薄膜和GaN基异质结构的制备及光学特性
SnO2纳米结构的形貌与退火温度及时间的关系研究
介孔二氧化硅材料的制备与表征
掺杂纳米TiO2制备及其选择性光催化研究
N面GaN外延材料生长与背景载流子抑制方法研究
AlGaN沟道异质结材料生长优化与高压HEMT器件研究
InN外延薄膜成核与重构的机理研究
立方体GaN材料及其异质结输运特性的相关研究
晶圆级单轴应变SOI制备及有限元模拟研究
氮化物双异质结材料优化生长及其载流子输运性质研究
GaSb欧姆接触制备及电学特性研究
NiO薄膜的制备及其掺杂技术研究
Zn在Ⅲ-V族半导体中的扩散机理与低禁带红外电池制备的研究
氧化锌—石墨烯杂化材料的性能和机理研究
氧化锌纳米结构薄膜的微结构及光电特性调控
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