| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 论文的主要创新与贡献 | 第9-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-35页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·CdZnTe晶体的基本物理性质 | 第13-15页 |
| ·CdZnTe晶体结构 | 第13-14页 |
| ·CdZnTe晶体能带结构 | 第14-15页 |
| ·CdZnTe晶体中的缺陷 | 第15-19页 |
| ·点缺陷 | 第15-17页 |
| ·线缺陷 | 第17-18页 |
| ·面缺陷 | 第18-19页 |
| ·体缺陷 | 第19页 |
| ·CdZnTe晶体与超短脉冲激光的相互作用 | 第19-21页 |
| ·本征光激发过程 | 第19页 |
| ·禁带光激发过程 | 第19-20页 |
| ·超快载流子弛豫过程 | 第20-21页 |
| ·CdZnTe晶体与高能射线的相互作用 | 第21-26页 |
| ·带电粒子与物质相互作用 | 第21-22页 |
| ·X/γ射线与物质相互作用 | 第22-24页 |
| ·辐照诱生缺陷机制 | 第24-26页 |
| ·CdZnTe晶体载流子输运特性 | 第26-29页 |
| ·载流子的散射 | 第26页 |
| ·载流子的复合 | 第26-28页 |
| ·载流子的俘获/去俘获 | 第28-29页 |
| ·空间电荷效应 | 第29页 |
| ·CdZnTe核辐射探测器 | 第29-33页 |
| ·室温核辐射探测器对CdZnTe晶体的要求 | 第29-30页 |
| ·CdZnTe探测器工作原理 | 第30页 |
| ·CdZnTe探测器性能指标 | 第30-33页 |
| ·本文的研究思路和内容 | 第33-35页 |
| 第2章 测试原理与实验方法 | 第35-43页 |
| ·CdZnTe晶片的选择与表面处理 | 第35页 |
| ·CdZnTe缺陷表征 | 第35-37页 |
| ·晶体中夹杂相分析 | 第35-36页 |
| ·低温光致发光表征 | 第36-37页 |
| ·热激电流谱 | 第37页 |
| ·CdZnTe光电性能表征 | 第37-40页 |
| ·电流-电压测试 | 第37-38页 |
| ·微波光电导测试 | 第38页 |
| ·激光诱导瞬态光电流测试 | 第38-39页 |
| ·Pockels测试 | 第39-40页 |
| ·CdZnTe探测器能谱性能测试 | 第40-43页 |
| ·α粒子诱导电流谱 | 第40-41页 |
| ·脉冲X-ray时间响应 | 第41-42页 |
| ·~(241)Am gamma射线响应 | 第42-43页 |
| 第3章 激光诱导瞬态光电流谱测试系统的研制 | 第43-51页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·系统简介 | 第43-46页 |
| ·激光诱导光电流基本物理过程与解谱分析 | 第46-49页 |
| ·LBIC基本物理过程 | 第46-47页 |
| ·均匀电场下的解谱分析法 | 第47-48页 |
| ·线性电场下的解谱分析法 | 第48-49页 |
| ·LBIC测试需要满足的实验条件 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 点缺陷对载流子输运过程的影响 | 第51-75页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·点缺陷能级去俘获效应对载流子输运过程的影响 | 第51-57页 |
| ·CdZnTe晶体的内电场分布 | 第51-52页 |
| ·多重俘获效应 | 第52-54页 |
| ·电场增强去俘获效应 | 第54-56页 |
| ·载流子收集效率 | 第56-57页 |
| ·不同缺陷能级分布对载流子输运过程的影响 | 第57-65页 |
| ·CdZnTe晶体缺陷分布表征 | 第58-61页 |
| ·对载流子寿命的影响 | 第61-63页 |
| ·对载流子迁移率的影响 | 第63-64页 |
| ·对载流子收集效率的影响 | 第64-65页 |
| ·禁带光调制下载流子输运过程的研究 | 第65-73页 |
| ·亚禁带光吸收基本过程以及对能级占据概率的调控 | 第66-68页 |
| ·亚禁带光照下空间电荷分布动态变化过程 | 第68-71页 |
| ·对内电场分布的影响 | 第71页 |
| ·禁带光照对能谱性能的影响 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第5章 扩展缺陷对载流子输运过程的影响 | 第75-85页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·扩展缺陷周围势垒调控俘获模型 | 第75-76页 |
| ·晶界对载流子输运过程的影响 | 第76-81页 |
| ·CdZnTe晶体中扩展缺陷分布 | 第76-77页 |
| ·扩展缺陷对瞬态光电导的影响 | 第77-78页 |
| ·α源诱导电流谱测试 | 第78-79页 |
| ·α源诱导电流谱电子渡越时间统计分布 | 第79-81页 |
| ·晶界对α源能谱响应特性的影响 | 第81-82页 |
| ·本章小结 | 第82-85页 |
| 第6章 CdZnTe探测器超快脉冲X-ray时间响应特性分析 | 第85-95页 |
| ·引言 | 第85页 |
| ·超快短脉冲X-ray作用下载流子输运动力学过程 | 第85-89页 |
| ·CdZnTe：In探测器对超快脉冲X射线的时间响应特性 | 第86-87页 |
| ·非平衡载流子弛豫过程 | 第87-89页 |
| ·大剂量超快脉冲X-ray照射对载流子输运过程的影响 | 第89-91页 |
| ·不同电压对超快脉冲X-ray时间响应的影响 | 第91-93页 |
| ·阴极入射与阳极入射瞬态电流时间响应信号对比 | 第93-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 第7章 辐照损伤对载流子输运过程的影响 | 第95-105页 |
| ·引言 | 第95页 |
| ·高能γ射线辐照损伤机理 | 第95-99页 |
| ·高剂量辐照引入缺陷能级的过程 | 第99-100页 |
| ·辐照损伤对载流子输运过程的影响 | 第100-103页 |
| ·辐照损伤对电子迁移率的影响 | 第100-102页 |
| ·电子迁移率损伤经验模型 | 第102-103页 |
| ·辐照损伤对探测器能谱响应特性的影响 | 第103页 |
| ·本章小结 | 第103-105页 |
| 主要结论 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-121页 |
| 攻读博士学位期间撰写的论文和申请的专利 | 第121-123页 |
| 发表论文 | 第121-122页 |
| 专利 | 第122页 |
| 参加学术会议 | 第122-123页 |
| 致谢 | 第123-125页 |
