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材料
金刚石衬底上ZnO薄膜的MOCVD生长及SAW器件的初步研究
锗纳米团簇的金属诱导合成及其微结构与性能特征
采用压缩坩埚自由空间方法提高CdZnTe晶体性能的研究
溶胶凝胶法制备二氧化锡气敏薄膜
基于分形几何的多晶硅陷光结构超声加工方法研究
掺杂对MoS2吸附气体性能的理论研究及N掺杂MoS2的制备
Cu衬底上超细ZnO纳米线的制备及其光学性质研究
透明导电ZnO薄膜的制备及其SPP调制器研究
用于紫外光电器件高质量AlN模板的MOCVD生长
Ⅲ族氮化物量子点的MOCVD外延生长研究
用于深紫外光电器件的AlxGa1-xN基外延材料生长与掺杂研究
过渡元素掺杂纳米锌基半导体材料的合成及掺杂行为对光/磁特性影响研究
新型块材稀磁半导体La(Zn1-2xMnCux)AsO的制备和物性测量
有机半导体在有序材料表面的吸附结构和电子性质的研究
半导体基大面积纳米石墨烯膜的转移制备及其光电特征
柔性配置的化学气相沉积反应腔体研究和设计
一种新型氢化物气相外延设备的研究和设计
基于极性面和非极性面GaN/AlN模板上ZnO薄膜材料生长研究
低温相变氧化钒薄膜的制备及性能研究
硅烯的氢化及电子性质研究
冶金法多晶硅铜沉淀行为研究
原子层沉积技术制备氧化锌薄膜及其性能的研究
TiO2半导体薄膜的光催化和气敏性质研究
离子束共溅射SiGe纳米岛的演变行为及二次生长机制研究
新型阳极析氧催化剂耦合半导体Si的光解水性能研究
含噻吩/芴/苯片段半导体材料的制备及其性能研究
低温GaN成核层MOCVD生长工艺对GaN外延薄膜影响的研究
多晶硅铸锭炉温度场可视化分析及其结构优化
ZnO微结构的合成、表面改性及其气敏性研究
高活性Cu2O光催化剂的制备及其性能研究
掺杂Ga2Te3基半导体材料的结构与热电性能研究
磁控溅射法制备Nb掺杂TiO2透明导电薄膜与其性能研究
硅基材料的制备及其性质研究
ZnO基p/n异质结器件的物性研究
利用表面光伏技术研究TiO2表/界面态的光电性质
Si上MOCVD法制备ZnO薄膜以及n-ZnO/MgO/p-Si异质结器件发光研究
单晶硅生产排产算法的研究与应用
复合及掺杂对NiO纳米材料的甲苯、二甲苯气敏性能改进的研究
基于点缺陷反应的金属氧化物半导体气敏选择性方法学研究
低维半导体材料的合成及新能源器件应用研究
面向低维量子器件的自组装InAs量子点的MOCVD生长及性能研究
硫族半导体纳米晶的合成及其性质研究
电子束诱导氧化锌量子点的可控生长与载流子调制
Si基热电材料的声子散射增强及其机制
硅基多孔不变形镜的研制
生物矿化启示构筑纳米半导体材料：微纳结构调控与性能研究
金属氧化物半导体共轴纤维及其气体传感性能的研究
高质量ZnO薄膜的MOCVD法可控生长及其发光器件研究
MOCVD方法硅基GaN的生长及其p型掺杂研究
SiC衬底上GaN基蓝光LED的MOCVD外延生长研究
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