当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
生长在不同工艺条件下的氮化镓外延层的发光诊断探究
铟基半导体纳米材料的制备及高压研究
纳米多晶Si薄膜的热壁LPCVD淀积与结构特性研究
Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管特性研究
原子层沉积栅介质材料与Ⅲ-Ⅴ族/Ge半导体的界面结构及其电学性能研究
掺杂ZnO及InP半导体的电子结构及磁性研究
ZnO纳米线的电子结构调控及磁性
基于光电导效应的太赫兹波开关实验研究
新型二维半导体材料及自旋相关器件量子输运的第一性原理研究
西门子CVD多晶硅还原炉内传递与反应过程数值模拟研究
冶金法多晶硅真空定向凝固过程的数值模拟优化及应用研究
亚固结磨料线锯切割过程磨粒运动状态实验研究
利用测量少子寿命再现低温多晶硅背板工艺
GaN基热电材料表征及性质研究
超薄太阳能级硅片切割技术研究
与GaN近似晶格匹配InxAl1-xN的制备和物性研究
氧化亚铜薄膜的分子束外延生长研究
退火工艺对CdSe薄膜结晶性能的影响研究
单晶碳化硅磁场辅助电化学机械研抛实验与机理研究
立方碳化硅化学机械抛光的分子动力学仿真
振动辅助电化学抛光碳化硅的仿真与实验研究
GaSb光阴极发射层MOCVD制备技术研究
GaSb薄膜掺杂及异质结的光学性质研究
热退火过程对锑化物合金质量及发光特性影响的研究
GaSb材料表面氮钝化及物性研究
GaSb基材料的异质外延及物性研究
半绝缘GaAs体雪崩纳秒脉冲输出特性研究
铟掺杂砷化镓材料的光电特性研究
S吸附对SiC表面重构影响的第一性原理研究
硅单晶等径阶段直径模型辨识与控制研究
水平超导磁场下CZ硅单晶固液界面氧分布数值模拟研究
硅表面S钝化机理与特性研究
利用LPCVD法在SiC衬底上制备Ge晶须及机理分析
冲击式多晶硅破碎装置的研究与设计
ZnMgO_BST/STO双色响应薄膜的制备及其特性研究
金属氧化物纳米半导体材料的可控制备、微观结构及物理化学性能研究
金属氧化物半导体纳米结构的调控与性能表征
硅锗薄膜制备及纳米结构演化研究
ZnO发光效率提升机制研究及ZnO/ZnMgO多量子阱发光器件研制
MOCVD原位监测系统软件设计
基于DSP的MOCVD原位监测信号采集系统设计
多场作用下多晶硅定向生长的研究
一维压电半导体杆的力学行为研究
氮化镓纳米薄膜声子和热学性能的表面/界面效应理论研究
界面插入层对二次生长ZnO纳米线形貌和光电性能的调控
碲纳米材料的可控制备及其光电响应特性研究
ZnS半导体薄膜材料可控制备与性能研究
基于溶胶凝胶法制备SnO2薄膜光电特性研究
胶体半导体纳米晶消光系数的研究
用碳化稻壳电热冶金法制备超冶金级硅的研究
上一页
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
下一页
