冶金法多晶硅铜沉淀行为研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 光伏产业的发展背景 | 第10-15页 |
| 1.2.1 能源危机及环境问题 | 第10-11页 |
| 1.2.2 太阳能的利用 | 第11-13页 |
| 1.2.3 多晶硅产业的发展 | 第13-14页 |
| 1.2.4 多晶硅的特点 | 第14-15页 |
| 1.3 铜在晶体硅中的性质 | 第15-19页 |
| 1.3.1 铜的价电子排布 | 第15-16页 |
| 1.3.2 铜在硅中的固溶度 | 第16页 |
| 1.3.3 铜在硅中的扩散 | 第16-19页 |
| 1.4 铜对硅片电学性能的影响 | 第19-21页 |
| 1.4.1 铜对硅片少子寿命的影响 | 第19-21页 |
| 1.4.2 铜对p-n结漏电流的影响 | 第21页 |
| 1.5 本论文的研究意义、内容、方案 | 第21-23页 |
| 1.5.1 研究意义 | 第21页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第21-22页 |
| 1.5.3 研究路线 | 第22-23页 |
| 第二章 实验材料与设备 | 第23-28页 |
| 2.1 实验材料 | 第23页 |
| 2.2 实验主要设备 | 第23-25页 |
| 2.2.1 高频感应加热炉 | 第24页 |
| 2.2.2 快速退火炉 | 第24-25页 |
| 2.3 实验分析检测设备 | 第25-26页 |
| 2.3.1 双电四探针测试仪 | 第25页 |
| 2.3.2 微波光电导衰减仪 | 第25-26页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜能谱分析 | 第26页 |
| 2.4 实验过程 | 第26-28页 |
| 2.4.1 硅样品制备 | 第26-27页 |
| 2.4.2 铜沉淀过程 | 第27-28页 |
| 第三章 铜源状态对多晶硅中铜沉淀的影响 | 第28-39页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 实验 | 第28-29页 |
| 3.3 单质铜对多晶硅中铜沉淀的影响 | 第29-33页 |
| 3.3.1 不同温度对单质铜沉淀行为的影响 | 第29-31页 |
| 3.3.2 不同温度对铜沉淀多晶硅电学性能的影响 | 第31-33页 |
| 3.3.3 单质铜对铜沉淀的影响机理 | 第33页 |
| 3.4 铜化合物对多晶硅中铜沉淀的行为 | 第33-37页 |
| 3.4.1 铜化合物对铜沉淀行为的影响 | 第33-37页 |
| 3.4.2 铜化合物对多晶硅电学性能的影响 | 第37页 |
| 3.4.3 铜化合物对铜沉淀的影响机理 | 第37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 热处理工艺对多晶硅中铜沉淀的影响 | 第39-58页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 实验 | 第39页 |
| 4.3 热处理气氛对多晶硅中铜沉淀的影响 | 第39-42页 |
| 4.3.1 热处理气氛对铜沉淀行为的影响 | 第39-40页 |
| 4.3.2 热处理气氛对多晶硅电学性能的影响 | 第40-42页 |
| 4.3.3 热处理气氛对铜沉淀的影响机理 | 第42页 |
| 4.4 热处理温度对多晶硅中铜沉淀的影响 | 第42-47页 |
| 4.4.1 热处理温度对铜沉淀行为的影响 | 第42-45页 |
| 4.4.2 热处理温度对多晶硅电学性能的影响 | 第45-46页 |
| 4.4.3 热处理温度对铜沉淀的影响机理 | 第46-47页 |
| 4.5 热处理冷却速度对多晶硅中铜沉淀的影响 | 第47-50页 |
| 4.5.1 热处理冷却速度对多晶硅中铜沉淀的影响 | 第47-49页 |
| 4.5.2 热处理冷却速度对多晶硅电学性能的影响 | 第49-50页 |
| 4.5.3 热处理冷却速度对铜沉淀的影响机理 | 第50页 |
| 4.6 热处理时间对多晶硅中铜沉淀的影响 | 第50-54页 |
| 4.6.1 热处理时间对铜沉淀行为的影响 | 第50-53页 |
| 4.6.2 热处理时间对多晶硅电学性能的影响 | 第53-54页 |
| 4.6.3 热处理时间对铜沉淀的影响机理 | 第54页 |
| 4.7 重复铜沉淀实验研究 | 第54-56页 |
| 4.7.1 不同温度对铜沉淀行为的影响 | 第54-55页 |
| 4.7.2 不同退火时间对铜沉淀行为的影响 | 第55-56页 |
| 4.8 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 磷扩散对铜沉淀的影响 | 第58-65页 |
| 5.1 引言 | 第58页 |
| 5.2 实验 | 第58-64页 |
| 5.2.1 磷扩散对铜沉淀行为的影响 | 第59-63页 |
| 5.2.2 磷扩散对多晶硅电学性能的影响 | 第63-64页 |
| 5.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 论文总结 | 第65-66页 |
| 6.2 论文展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 附录 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
