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离子束共溅射SiGe纳米岛的演变行为及二次生长机制研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第9-22页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 纳米岛的外延生长第10-13页
        1.2.1 薄膜材料的外延生长模式第10-12页
        1.2.2 纳米岛的自组装生长过程第12-13页
    1.3 混相Si上离子束溅射沉积Ge纳米岛的研究第13-19页
        1.3.1 混相结构Si缓冲层的引出第14-16页
        1.3.2 混相结构Si缓冲层对纳米岛成核的影响第16-17页
        1.3.3 混相结构Si缓冲层对纳米岛生长的影响第17-19页
    1.4 本论文的主要研究工作第19-20页
    1.5 本论文的创新点第20-22页
第二章 离子束溅射技术及表面分析技术第22-34页
    2.1 离子束溅射技术第22-27页
        2.1.1 离子束溅射设备简介第22-23页
        2.1.2 离子束溅射设备参数第23-25页
        2.1.3 考夫曼离子枪工作原理第25-26页
        2.1.4 离子束溅射原理第26-27页
    2.2 实验样品的表征第27-30页
        2.2.1 原子力显微镜第27-28页
        2.2.2 Raman光谱仪第28-29页
        2.2.3 扫描电子显微镜第29-30页
    2.3 基片清洗第30-34页
        2.3.1 去离子水机简介第31-32页
        2.3.2 其他清洗基片用到的设备第32页
        2.3.3 基片清洗步骤第32-34页
第三章 不同温度下离子束共溅射生长SiGe纳米岛第34-43页
    3.1 引言第34页
    3.2 实验参数设置第34-35页
    3.3 共溅射靶材的设计第35-36页
    3.4 实验结果第36-43页
        3.4.1 共溅射SiGe层组分分析第36-37页
        3.4.2 不同温度下SiGe纳米岛的共溅射生长第37-41页
        3.4.3 不同SiGe沉积量对纳米岛生长的影响第41-43页
第四章 不同温度下SiGe纳米岛的二次生长形貌演变第43-54页
    4.1 引言第43页
    4.2 实验参数设置第43-44页
    4.3 实验结果第44-54页
        4.3.1 SiGe纳米岛的二次生长过程第44-47页
        4.3.2 Si缓冲层和SiGe层上Ge的沉积对比第47-50页
        4.3.3 微晶硅上二次生长SiGe纳米岛的Raman分析第50-52页
        4.3.4 微晶硅上二次生长SiGe纳米岛的熟化过程第52-54页
第五章 不同温度下SiGe纳米岛的二次生长及互混机制研究第54-65页
    5.1 引言第54页
    5.2 实验参数设置第54-55页
    5.3 实验结果第55-65页
        5.3.1 SiGe纳米岛的二次生长机制研究第55-60页
        5.3.2 二次生长SiGe纳米岛的互混机制研究第60-65页
第六章 总结和展望第65-67页
    6.1 研究工作取得主要结论第65-66页
    6.2 展望第66-67页
参考文献第67-73页
附录 攻读硕士期间发表论文和获得的奖励第73-74页
    攻读硕士期间发表的论文第73页
    攻读硕士期间获得的奖励第73-74页
致谢第74页

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