摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-22页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 纳米岛的外延生长 | 第10-13页 |
1.2.1 薄膜材料的外延生长模式 | 第10-12页 |
1.2.2 纳米岛的自组装生长过程 | 第12-13页 |
1.3 混相Si上离子束溅射沉积Ge纳米岛的研究 | 第13-19页 |
1.3.1 混相结构Si缓冲层的引出 | 第14-16页 |
1.3.2 混相结构Si缓冲层对纳米岛成核的影响 | 第16-17页 |
1.3.3 混相结构Si缓冲层对纳米岛生长的影响 | 第17-19页 |
1.4 本论文的主要研究工作 | 第19-20页 |
1.5 本论文的创新点 | 第20-22页 |
第二章 离子束溅射技术及表面分析技术 | 第22-34页 |
2.1 离子束溅射技术 | 第22-27页 |
2.1.1 离子束溅射设备简介 | 第22-23页 |
2.1.2 离子束溅射设备参数 | 第23-25页 |
2.1.3 考夫曼离子枪工作原理 | 第25-26页 |
2.1.4 离子束溅射原理 | 第26-27页 |
2.2 实验样品的表征 | 第27-30页 |
2.2.1 原子力显微镜 | 第27-28页 |
2.2.2 Raman光谱仪 | 第28-29页 |
2.2.3 扫描电子显微镜 | 第29-30页 |
2.3 基片清洗 | 第30-34页 |
2.3.1 去离子水机简介 | 第31-32页 |
2.3.2 其他清洗基片用到的设备 | 第32页 |
2.3.3 基片清洗步骤 | 第32-34页 |
第三章 不同温度下离子束共溅射生长SiGe纳米岛 | 第34-43页 |
3.1 引言 | 第34页 |
3.2 实验参数设置 | 第34-35页 |
3.3 共溅射靶材的设计 | 第35-36页 |
3.4 实验结果 | 第36-43页 |
3.4.1 共溅射SiGe层组分分析 | 第36-37页 |
3.4.2 不同温度下SiGe纳米岛的共溅射生长 | 第37-41页 |
3.4.3 不同SiGe沉积量对纳米岛生长的影响 | 第41-43页 |
第四章 不同温度下SiGe纳米岛的二次生长形貌演变 | 第43-54页 |
4.1 引言 | 第43页 |
4.2 实验参数设置 | 第43-44页 |
4.3 实验结果 | 第44-54页 |
4.3.1 SiGe纳米岛的二次生长过程 | 第44-47页 |
4.3.2 Si缓冲层和SiGe层上Ge的沉积对比 | 第47-50页 |
4.3.3 微晶硅上二次生长SiGe纳米岛的Raman分析 | 第50-52页 |
4.3.4 微晶硅上二次生长SiGe纳米岛的熟化过程 | 第52-54页 |
第五章 不同温度下SiGe纳米岛的二次生长及互混机制研究 | 第54-65页 |
5.1 引言 | 第54页 |
5.2 实验参数设置 | 第54-55页 |
5.3 实验结果 | 第55-65页 |
5.3.1 SiGe纳米岛的二次生长机制研究 | 第55-60页 |
5.3.2 二次生长SiGe纳米岛的互混机制研究 | 第60-65页 |
第六章 总结和展望 | 第65-67页 |
6.1 研究工作取得主要结论 | 第65-66页 |
6.2 展望 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-73页 |
附录 攻读硕士期间发表论文和获得的奖励 | 第73-74页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第73页 |
攻读硕士期间获得的奖励 | 第73-74页 |
致谢 | 第74页 |