| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-33页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 半导体探测器及其材料的发展 | 第14-18页 |
| 1.2.1 元素半导体探测器及其材料 | 第14-15页 |
| 1.2.2 化合物半导体探测器及其材料 | 第15-18页 |
| 1.3 CZT 探测材料的晶体结构和基本性质 | 第18-21页 |
| 1.3.1 晶体结构 | 第18-20页 |
| 1.3.2 CZT 探测材料物理化学特性 | 第20-21页 |
| 1.4 CZT 晶体的制备 | 第21-28页 |
| 1.4.1 当前 CZT 晶体生长中存在的难点 | 第21-23页 |
| 1.4.2 CZT 晶体的主要生长方法 | 第23-28页 |
| 1.5 CZT 晶体中的富 Te 相 | 第28-29页 |
| 1.6 CZT 晶体中的掺杂 | 第29-31页 |
| 1.7 本文研究意义 | 第31页 |
| 1.8 论文的主要研究内容 | 第31-33页 |
| 第二章 LPB 法生长 CZT 晶体的工艺优化研究 | 第33-47页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 坩埚中自由空间量的控制方法 | 第33-35页 |
| 2.3 低压布里奇曼法生长 CZT 晶体的工艺优化 | 第35-42页 |
| 2.3.1 Cd0.9Zn0.1Te 配料及多晶料的合成工艺优化 | 第35-38页 |
| 2.3.2 CZT 单晶生长工艺优化 | 第38-42页 |
| 2.4 晶体生长结果 | 第42-46页 |
| 2.4.1 晶体的宏观形貌 | 第42-43页 |
| 2.4.2 晶体成分分布特征 | 第43-45页 |
| 2.4.3 晶体的结构完整性 | 第45-46页 |
| 2.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 坩埚中自由空间量对 LPB 法生长的 CZT 晶体性能的影响 | 第47-55页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 不同自由空间量下 CZT 晶体生长实验 | 第47-48页 |
| 3.3 坩埚自由空间量对 CZT 晶体性能的影响 | 第48-54页 |
| 3.3.1 坩埚自由空间量对 CZT 晶体的正电子湮灭寿命谱的影响 | 第48-49页 |
| 3.3.2 坩埚自由空间量对 CZT 晶体 Te 夹杂相的影响 | 第49-51页 |
| 3.3.3 坩埚自由空间量对 CZT 晶体红外透过率的影响 | 第51-53页 |
| 3.3.4 坩埚自由空间量对 CZT 晶体的电学性能的影响 | 第53-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 In 掺杂以及压缩坩埚自由空间对 CZT:In 晶体性能的影响 | 第55-70页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 掺杂元素的选择 | 第55-56页 |
| 4.3 In 掺杂对压缩自由空间工艺下生长的 CZT 晶体性能的影响 | 第56-65页 |
| 4.3.1 不同 In 掺杂量所获晶体的电学性能 | 第56-59页 |
| 4.3.2 In 掺杂对 CZT 晶体正电子湮灭寿命谱的影响 | 第59-61页 |
| 4.3.3 In 掺杂 CZT 晶体的 Te 夹杂红外显微分析 | 第61-62页 |
| 4.3.4 In 掺杂对 CZT 晶体红外透过率的影响 | 第62-65页 |
| 4.4 压缩坩埚自由空间对 CZT:In 晶体性能的影响 | 第65-68页 |
| 4.4.1 压缩坩埚自由空间对 CZT:In 晶体电学性能的影响 | 第65-67页 |
| 4.4.2 压缩坩埚自由空间对 CZT:In 晶体正电子湮灭寿命谱的影响 | 第67-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 结论与展望 | 第70-74页 |
| 5.1 结论 | 第70-71页 |
| 5.2 本文创新点 | 第71-72页 |
| 5.3 展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-82页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第82-83页 |
| 作者在攻读硕士学位期间所作的项目 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
