摘要 | 第4-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第12-36页 |
1.1 引言 | 第12-17页 |
1.2 有机半导体器件 | 第17-23页 |
1.2.1 有机电致发光器件(OLEDs) | 第17-19页 |
1.2.2 有机光伏器件(OPVs) | 第19-22页 |
1.2.3 器件的表面和界面 | 第22-23页 |
1.3 石墨烯电极 | 第23-27页 |
1.3.1 石墨烯性能 | 第24-26页 |
1.3.2 墨烯制备方法 | 第26-27页 |
1.3.3 石墨烯电极局限 | 第27页 |
1.4 论文研究目的和内容 | 第27-29页 |
参考文献 | 第29-36页 |
第二章 实验方法介绍 | 第36-56页 |
2.1 超高真空系统 | 第36-40页 |
2.1.1 真空度表征 | 第36-39页 |
2.1.2 超高真空的获得 | 第39-40页 |
2.2 光电子能谱仪 | 第40-47页 |
2.2.1 基本原理 | 第41-42页 |
2.2.2 基本结构 | 第42-43页 |
2.2.3 激发源 | 第43-46页 |
2.2.4 能量分析器 | 第46-47页 |
2.2.5 检测器 | 第47页 |
2.3 UPS能级确定 | 第47-51页 |
2.3.1 表面功函数的确定 | 第47-50页 |
2.3.2 电离能(IP)和空穴注入势垒(△h) | 第50-51页 |
2.4 有机半导体薄膜生长 | 第51-53页 |
参考文献 | 第53-56页 |
第三章 理论计算方法介绍 | 第56-76页 |
3.1 密度泛函理论基础 | 第56-64页 |
3.1.1 Hartreee-Fock近似 | 第57-60页 |
3.1.2 Hohenbeg-Kohn定理 | 第60-62页 |
3.1.3 Kohn-Sham方程 | 第62-64页 |
3.2 交换关联能量泛函 | 第64-67页 |
3.2.1 局域密度近似(LDA) | 第64-66页 |
3.2.2 广义梯度近似(GGA) | 第66-67页 |
3.3 密度泛函理论的应用 | 第67-70页 |
3.3.1 化学:弱作用体系 | 第67-68页 |
3.3.2 物理:强关联体系 | 第68页 |
3.3.3 生命科学:空间尺寸和时间尺度 | 第68-70页 |
3.4 常用软件包介绍 | 第70-73页 |
参考文献 | 第73-76页 |
第四章 Tetracene分子在Ag(110)表面的吸附结构和电子性质 | 第76-96页 |
4.1 引言 | 第76-77页 |
4.2 实验和理论计算介绍 | 第77-80页 |
4.2.1 实验方法 | 第77-79页 |
4.2.2 理论计算 | 第79-80页 |
4.3 结果与讨论 | 第80-90页 |
4.4 总结 | 第90-92页 |
参考文献 | 第92-96页 |
第五章 CuPc分子在石墨烯表面的吸附结构和电子性质 | 第96-112页 |
5.1 引言 | 第96-98页 |
5.2 实验和理论计算介绍 | 第98-99页 |
5.2.1 实验方法 | 第98页 |
5.2.2 理论计算 | 第98-99页 |
5.3 结果与讨论 | 第99-107页 |
5.4 总结 | 第107-109页 |
参考文献 | 第109-112页 |
第六章 结论与展望 | 第112-114页 |
攻读博士期间发表的论文 | 第114-115页 |
致谢 | 第115-116页 |