MOCVD方法硅基GaN的生长及其p型掺杂研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-29页 |
| 2.1 GaN的物理性质 | 第10-11页 |
| 2.2 GaN的生长方法 | 第11-17页 |
| 2.2.1 体单晶的生长 | 第11-12页 |
| 2.2.2 外延生长 | 第12-14页 |
| 2.2.3 横向外延过生长技术 | 第14-16页 |
| 2.2.4 GaN生长技术的发展趋势 | 第16-17页 |
| 2.3 GaN的器件工艺 | 第17-18页 |
| 2.4 GaN材料的掺杂 | 第18-29页 |
| 2.4.1 GaN中氢的作用 | 第18-20页 |
| 2.4.2 GaN材料的n型掺杂 | 第20页 |
| 2.4.3 GaN材料的p型掺杂 | 第20-29页 |
| 第三章 GaN外延生长系统和生长工艺 | 第29-36页 |
| 3.1 GaN外延生长 | 第29-32页 |
| 3.1.1 MOCVD系统 | 第29-31页 |
| 3.1.2 气相沉积生长 | 第31-32页 |
| 3.2 GaN外延生长工艺 | 第32-35页 |
| 3.2.1 衬底硅片的清洗 | 第32-33页 |
| 3.2.2 外延生长 | 第33-34页 |
| 3.2.3 材料特性的表征 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第四章 本征硅基GaN的生长 | 第36-47页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 实验 | 第36-37页 |
| 4.3 实验结果及讨论 | 第37-45页 |
| 4.3.1 缓冲层的选择对GaN外延层质量的影响 | 第37-40页 |
| 4.3.2 样品的表征和分析 | 第40-43页 |
| 4.3.3 样品生长中的meltback现象 | 第43-45页 |
| 4.4 小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第五章 硅基GaN的p型掺杂及性能研究 | 第47-56页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 实验 | 第47-48页 |
| 5.3 实验结果与分析 | 第48-54页 |
| 5.3.1 电学性能分析 | 第48-50页 |
| 5.3.2 晶体学性能分析和形貌分析 | 第50-52页 |
| 5.3.3 应力分析 | 第52-53页 |
| 5.3.4 其他分析 | 第53-54页 |
| 5.4 小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第六章 快速热退火对p型GaN位错的影响 | 第56-65页 |
| 6.1 引言 | 第56页 |
| 6.2 实验 | 第56-57页 |
| 6.3 结果分析 | 第57-63页 |
| 6.3.1 GaN中的位错 | 第57-59页 |
| 6.3.2 位错对表面形貌的影响 | 第59-60页 |
| 6.3.3 位错与HRXRD测试结果的关系 | 第60-61页 |
| 6.3.4 位错结构的模型及结论 | 第61-63页 |
| 6.4 小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 第七章 结论 | 第65-66页 |
| 第八章 今后工作的一些思考 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
