半导体基大面积纳米石墨烯膜的转移制备及其光电特征
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-21页 |
1.1 纳米碳材料 | 第9-10页 |
1.2 纳米石墨烯 | 第10-17页 |
1.3 透明薄膜电极材料的图案化 | 第17-20页 |
1.4 论文结构及主要工作 | 第20-21页 |
2 纳米石墨烯膜的大面积转移制备 | 第21-38页 |
2.1 大面积纳米石墨烯膜转移工艺 | 第21-26页 |
2.2 半导体基纳米石墨烯膜的特性 | 第26-37页 |
2.3 小结 | 第37-38页 |
3 半导体基石墨烯模的光电特性 | 第38-45页 |
3.1 光电响应理论 | 第38-40页 |
3.2 器件制作、测试与分析 | 第40-44页 |
3.3 小结 | 第44-45页 |
4 纳米石墨烯膜的图案化 | 第45-76页 |
4.1 工艺原理 | 第45-47页 |
4.2 制备流程 | 第47-52页 |
4.3 显微光学与 SEM 检测 | 第52-62页 |
4.4 基于石墨烯模的微平面线圈电极 | 第62-75页 |
4.5 小结 | 第75-76页 |
5 总结 | 第76-79页 |
5.1 全文总结及创新点 | 第76-77页 |
5.2 工作展望 | 第77-79页 |
致谢 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-85页 |
附录1 硕士期间发表的论文及项目来源 | 第85-86页 |
附录2 Matlab 图形仿真石墨烯电阻分布代码 | 第86页 |