| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 气体传感器研究现状及发展 | 第11-12页 |
| 1.3 储氢材料研究现状及发展 | 第12-13页 |
| 1.4 二硫化钼（MoS_2）研究概述 | 第13-15页 |
| 1.4.1 二硫化钼（MoS_2）介绍 | 第13-14页 |
| 1.4.2 二硫化钼（MoS_2）制备方法 | 第14-15页 |
| 1.4.3 二硫化钼（MoS_2）的应用 | 第15页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 第一性原理计算方法介绍 | 第17-22页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第17-19页 |
| 2.2 密度泛函理论的实现 | 第19-20页 |
| 2.3 计算软件Materials Studio简介 | 第20-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 掺杂单层MoS_2对NO_2和NH_3吸附性能的第一性原理研究 | 第22-39页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 理论模型与计算方法 | 第22-24页 |
| 3.2.1 理论模型 | 第22-24页 |
| 3.2.2 计算方法 | 第24页 |
| 3.3 未掺杂的单层MoS_2计算结果及分析 | 第24-25页 |
| 3.4 Al、Si、P掺杂MoS_2的性质研究 | 第25-28页 |
| 3.5 NO_2、NH_3吸附掺杂MoS_2的理论研究 | 第28-36页 |
| 3.5.1 最稳定吸附位置的确定 | 第28-31页 |
| 3.5.2 NO_2吸附的性质研究 | 第31-33页 |
| 3.5.3 NH_3吸附的性质研究 | 第33-34页 |
| 3.5.4 差分电荷密度分析 | 第34-35页 |
| 3.5.5 多掺杂及多吸附研究 | 第35-36页 |
| 3.5.6 磁性质研究 | 第36页 |
| 3.6 N掺杂MoS_2吸附性质的研究 | 第36-38页 |
| 3.7 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 掺杂单层MoS_2储氢性质的研究 | 第39-47页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 理论模型与计算方法 | 第39-40页 |
| 4.2.1 理论模型 | 第39-40页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第40页 |
| 4.3 未掺杂的单层MoS_2计算结果及分析 | 第40-41页 |
| 4.4 H_2分子吸附在Al、Si、P掺杂MoS_2的研究 | 第41-46页 |
| 4.4.1 最稳定吸附位置的确定 | 第41-43页 |
| 4.4.2 H_2吸附性质的研究 | 第43-45页 |
| 4.4.3 多H_2分子吸附的研究 | 第45-46页 |
| 4.5 N掺杂MoS_2吸附氢气性质研究 | 第46页 |
| 4.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 第5章N掺杂MoS_2的制备 | 第47-52页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 MoS_2纳米花的制备 | 第47-49页 |
| 5.2.1 制备原料和器材 | 第47页 |
| 5.2.2 制备方法 | 第47-48页 |
| 5.2.3 实验表征 | 第48-49页 |
| 5.3 N掺杂MoS_2纳米片制备 | 第49-51页 |
| 5.3.1 制备原料和器材 | 第49-50页 |
| 5.3.2 制备方法 | 第50页 |
| 5.3.3 实验表征 | 第50-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
