| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 拓扑绝缘体 | 第9-12页 |
| 1.1.1 拓扑绝缘体的发展 | 第10-11页 |
| 1.1.2 无质量的狄拉克费米子 | 第11-12页 |
| 1.2 石墨烯(Graphene) | 第12-14页 |
| 1.2.1 石墨烯的制备方法 | 第12页 |
| 1.2.2 石墨烯的特性 | 第12-13页 |
| 1.2.3 石墨烯的能隙问题 | 第13-14页 |
| 1.3 过渡金属硫化物(Transition Metal Dichalcogenides,TMDs) | 第14-19页 |
| 1.3.1 过渡金属硫化物(TMDs)的制备 | 第15-17页 |
| 1.3.2 过渡金属硫化物(TMDs)的结构 | 第17-18页 |
| 1.3.3 过渡金属硫化物(TMDs)的应用 | 第18-19页 |
| 1.4 氮化硼(honycomb Boron Nitride,h-BN) | 第19页 |
| 1.5 黑磷(Black Phosphorus) | 第19-20页 |
| 1.6 硅烯(Silicene) | 第20-22页 |
| 1.6.1 硅烯的制备 | 第21-22页 |
| 1.6.2 硅烯的发展现状 | 第22页 |
| 1.7 论文结构 | 第22-25页 |
| 第二章 实验技术和原理 | 第25-37页 |
| 2.1 实验仪器简介 | 第25-26页 |
| 2.2 超高真空技术 | 第26-27页 |
| 2.3 分子束外延技术 | 第27-30页 |
| 2.4 扫描隧道显微镜 | 第30-35页 |
| 2.4.1 扫描隧道显微镜的基本原理 | 第31-33页 |
| 2.4.2 扫描隧道谱 | 第33-34页 |
| 2.4.3 STM针尖的制备方法 | 第34-35页 |
| 2.5 低温技术 | 第35-37页 |
| 第三章 硅烯的生长及结构 | 第37-47页 |
| 3.1 研究背景 | 第37-38页 |
| 3.2 硅烯的生长 | 第38-41页 |
| 3.3 讨论 | 第41-46页 |
| 3.3.1 硅烯-4×4结构及性能 | 第41-43页 |
| 3.3.2 硅烯-(?)×(?)结构及性能 | 第43-44页 |
| 3.3.3 硅烯-(?)×(?)结构及性能 | 第44-46页 |
| 3.4 小结 | 第46-47页 |
| 第四章 硅烯的氢化 | 第47-63页 |
| 4.1 研究背景 | 第47-48页 |
| 4.2 硅烯氢化的前期理论研究 | 第48-49页 |
| 4.3 硅烯的氢化实验 | 第49-51页 |
| 4.4 讨论 | 第51-61页 |
| 4.4.1 硅烯-4×4吸氢的结构分析 | 第51-56页 |
| 4.4.2 硅烯-(?)×(?)吸氢的结构分析 | 第56-59页 |
| 4.4.3 硅烯-(?)×(?)吸氢的结构分析 | 第59-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 论文总结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-72页 |
| 攻读硕士期间所获得研究成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |