| 摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-15页 |
| 1.1 ZnO 材料的基本特性 | 第7-8页 |
| 1.2 ZnO 材料的研究进展 | 第8-13页 |
| 1.3 本论文的出发点 | 第13-15页 |
| 第二章 实验仪器和表征手段 | 第15-22页 |
| 2.1 样品生长设备 | 第15-17页 |
| 2.1.1 电化学生长设备 | 第15-16页 |
| 2.1.2 磁控溅射方法 | 第16-17页 |
| 2.2 表征手段 | 第17-22页 |
| 2.2.1 X-射线衍射谱原理 | 第17页 |
| 2.2.2 扫描电子显微技术 | 第17-19页 |
| 2.2.3 透射-反射谱测试原理 | 第19-20页 |
| 2.2.4 微区光致发光光谱仪的结构 | 第20页 |
| 2.2.5 电流-电压特性图示仪 | 第20-22页 |
| 第三章 电化学沉积ZnO 薄膜 | 第22-26页 |
| 3.1 电化学自组装ZnO的原理 | 第22页 |
| 3.2 水溶液制备ZnO薄膜 | 第22-25页 |
| 3.2.1 样品制备 | 第22页 |
| 3.2.2 ZnO 结构和形貌分析 | 第22-24页 |
| 3.2.3 ZnO 薄膜的光学性质 | 第24-25页 |
| 3.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第四章 电化学沉积Cu_2O薄膜 | 第26-30页 |
| 4.1 Cu_2O的基本性质 | 第26页 |
| 4.2 样品的制备 | 第26页 |
| 4.3 Cu_2O结构和形貌分析 | 第26-27页 |
| 4.4 Cu_2O的光学性质 | 第27-28页 |
| 4.5 本章小结 | 第28-30页 |
| 第五章 Cu_2O/ZnO/ITO p-i-n异质结器件的制备及其物性研究 | 第30-35页 |
| 5.1 研究背景 | 第30页 |
| 5.2 样品的制备 | 第30-31页 |
| 5.3 Cu_2O/ZnO/ITO p-i-n异质结的结构特性研究 | 第31页 |
| 5.4 Cu_2O/ZnO/ITO p-i-n异质结器件电学特性 | 第31-34页 |
| 5.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第六章 ZnO/GaN p-n异质结器件的制备及其物性研究 | 第35-38页 |
| 6.1 出发点 | 第35页 |
| 6.2 样品的制备 | 第35页 |
| 6.3 GaN/ZnO p-n 异质结器件电学特性 | 第35-37页 |
| 6.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第七章 结论 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
| 在学期间发表论文 | 第43页 |
