| 第一章 文献综述 | 第9-36页 |
| 1.1 硅基纳米氮化硼薄膜 | 第9-11页 |
| 1.2 纳米硅丝 | 第11-17页 |
| 1.2.1 纳米硅丝的制备方法以及生长机理 | 第12-15页 |
| 1.2.2 纳米硅丝的应用前景 | 第15-17页 |
| 1.3 硅基氮化碳薄膜 | 第17-36页 |
| 1.3.1 晶体结构 | 第17-19页 |
| 1.3.2 CN_x膜的合成方法 | 第19-25页 |
| 1.3.3 CN_x膜的性能 | 第25-36页 |
| 第二章 实验设备和测试手段 | 第36-43页 |
| 2.1 实验设备 | 第36-39页 |
| 2.1.1 PECVD薄膜生长设备 | 第36-37页 |
| 2.1.2 RTP设备 | 第37-38页 |
| 2.1.3 常规热处理炉设备 | 第38-39页 |
| 2.2 实验材料 | 第39页 |
| 2.3 测试设备 | 第39-43页 |
| 2.3.1 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第40页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜(TEM) | 第40页 |
| 2.3.3 傅立叶变换红外光谱仪(FTIR) | 第40-41页 |
| 2.3.4 维氏显微硬度计 | 第41页 |
| 2.3.5 X射线衍射仪(XRD) | 第41-42页 |
| 2.3.6 金相显微镜 | 第42-43页 |
| 第三章 硅基氮化硼纳米棒生长研究 | 第43-54页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 实验 | 第44页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第44-51页 |
| 3.3.1 氮化硼薄膜的表面形貌 | 第44-48页 |
| 3.3.2 氮化硼薄膜的组分与化学键 | 第48-50页 |
| 3.3.3 氮化硼网状结构的形成机理 | 第50-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-54页 |
| 第四章 硅基纳米硅丝生长研究 | 第54-63页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 实验 | 第54-55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-61页 |
| 4.3.1 一步热处理实验 | 第55-58页 |
| 4.3.2 快速热处理实验 | 第58-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 硅基氮化碳薄膜生长研究 | 第63-80页 |
| 5.1 引言 | 第63-64页 |
| 5.2 实验 | 第64-78页 |
| 5.2.1 实验Ⅰ:大流量实验 | 第64页 |
| 5.2.2 实验Ⅱ:小流量实验 | 第64-66页 |
| 5.2.3 实验Ⅲ:流量固定不同温度的实验 | 第66-67页 |
| 5.2.4 实验Ⅳ:RTP初步实验 | 第67-71页 |
| 5.2.5 实验Ⅴ:临近500℃温度点的RTP实验 | 第71-74页 |
| 5.2.6 实验Ⅵ:N_2替代NH_3生长CN_x实验 | 第74-75页 |
| 5.2.7 实验Ⅶ:N_2、NH_3的混合以及H_2的加入 | 第75-76页 |
| 5.2.8 实验Ⅷ:ITO玻璃表面CN_x薄膜的制备 | 第76-78页 |
| 5.3 本章小结 | 第78-80页 |
| 第六章 结论 | 第80-81页 |
| 硕士期间发表的文章 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
