| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 金属氧化物半导体缺陷化学 | 第13-24页 |
| 1.3 金属氧化物半导体氧空位气敏模型及其研究现状 | 第24-30页 |
| 1.4 本文的选题思路和主要研究内容 | 第30-32页 |
| 2 金属氧化物半导体气敏材料高通量筛选平台的设计与实现 | 第32-42页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 平台设计思路 | 第32-33页 |
| 2.3 平台的实现 | 第33-40页 |
| 2.4 平台的性能评价 | 第40-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 3 基于平台R-t测试的金属氧化物半导体气敏研究 | 第42-56页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 实验部分 | 第43-46页 |
| 3.3 实验结果 | 第46-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 4 基于平台R-T测试的金属氧化物半导体气敏研究 | 第56-68页 |
| 4.1 引言 | 第56-57页 |
| 4.2 实验部分 | 第57-61页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第61-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 5 温度/气氛场下SnO_2纳米晶多孔膜的电子输运模型 | 第68-82页 |
| 5.1 引言 | 第68-69页 |
| 5.2 理论推导 | 第69-75页 |
| 5.3 实验部分 | 第75-76页 |
| 5.4 结果及讨论 | 第76-80页 |
| 5.5 本章小结 | 第80-82页 |
| 6 p型和n型掺杂SnO_2纳米晶多孔膜的电子输运模型 | 第82-102页 |
| 6.1 引言 | 第82-84页 |
| 6.2 实验部分 | 第84-85页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第85-101页 |
| 6.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 7 基于SnO_2全缺陷气敏机制的气体辨别方法的建立 | 第102-118页 |
| 7.1 引言 | 第102-103页 |
| 7.2 实验部分 | 第103-104页 |
| 7.3 结果与讨论 | 第104-117页 |
| 7.4 本章小结 | 第117-118页 |
| 8 金属氧化物半导体全缺陷气敏机制气体辨别方法的应用 | 第118-134页 |
| 8.1 引言 | 第118页 |
| 8.2 实验部分 | 第118-119页 |
| 8.3 结果与讨论 | 第119-133页 |
| 8.4 本章小结 | 第133-134页 |
| 9 全文总结 | 第134-138页 |
| 9.1 主要结论 | 第134-136页 |
| 9.2 本文的创新之处 | 第136页 |
| 9.3 相关工作展望 | 第136-138页 |
| 致谢 | 第138-140页 |
| 参考文献 | 第140-157页 |
| 附录1 攻读博士学位期间撰写与发表的论文 | 第157-160页 |
| 附录2 攻读博士学位期间申请与授权的专利 | 第160页 |
