当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
半导体三极管（晶体管）
AlGaN/GaN HEMT器件建模技术研究
AlGaN/GaN HEMT器件模型与热效应研究
中高压功率IGBT模块开关特性测试及建模
3300 VPlanar IGBT的仿真分析与设计
基于聚噻吩复合材料的OTFT制备与性能研究
基于单电子晶体管结构电路设计和三值电路设计
氧化锌基薄膜晶体管的制备及特性研究
气溶胶喷印技术研究及其在有机薄膜晶体管中的应用
无机双电层栅介质及其低电压氧化物微纳晶体管应用
双电层静电调制及其低电压氧化物薄膜晶体管研究
4H-SiC双外延基区双极晶体管模型与实验研究
SOI SiGe HBT性能与结构设计研究
并五苯有机薄膜晶体管研究
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管TCAD仿真研究
ZnO薄膜晶体管的模型与新结构研究
氮化镓高电子迁移率晶体管微波特性表征及微波功率放大器研究
基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管静态特性研究
面向平板显示的P型多晶硅薄膜晶体管在交直流电应力下的退化研究
高速LIGBT电势控制理论与新结构
C60基有机薄膜晶体管性能改善的研究
基于近似熵分析和小波变换的IGBT模块键合线故障特征分析
基于饱和压降测量的IGBT功率模块状态评估方法研究
绝缘栅双极型晶体管串联电压均衡技术研究
绝缘栅双极型晶体管结温仿真模型及其应用研究
IGBT功率模块寿命预测技术研究
低压ITO基薄膜晶体管研究
双层电极结构的有机薄膜晶体管及其5阶振荡器的研究
基于CuPc/C60有机异质结薄膜晶体管的研究
基于有限元方法的有机薄膜晶体管模拟
4H-SiC功率BJT的实验研究
SOI SiGe HBT结构与集电区模型研究
多发射指异质结双极型晶体管的热稳定性研究
GaInP/GaAs异质结晶体管的无条件稳定特性研究
高压绝缘栅双极晶体管（IGBT）设计及可靠性研究
低压双电荷层ITO薄膜晶体管
4.5kV IEGT的IE效应与特性分析
大功率晶体管的设计与制造工艺
二氧化钒薄膜晶体管开关特性研究
反向开关晶体管特性仿真及结构优化设计
增强多指SiGe HBT热学性能的Ge组分分布设计和变指间距技术研究
纳米硅薄膜晶体管制作及特性研究
纳米硅薄膜晶体管磁传感器研究
射频微波SiGe HBT建模与参数提取技术研究
大功率开关晶体管的设计与制造
有机薄膜晶体管中接触效应的研究
界面修饰对氧化锌基薄膜晶体管性能的影响
铟镓锌氧化物薄膜晶体管的研究
多晶硅薄膜晶体管开态模型
氢化对金属诱导横向结晶n型多晶硅TFT热载流子退化的影响
分子晶体管的数值模拟设计
上一页
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
下一页
