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无机双电层栅介质及其低电压氧化物微纳晶体管应用

摘要第1-7页
Abstract第7-10页
目录第10-13页
第1章 绪论第13-27页
   ·引言第13-14页
   ·基于电解质的低电压晶体管的发展现状第14-19页
     ·基于电解质的低电压晶体管的工作原理第14-17页
     ·基于电解质的低电压晶体管的文献综述第17-19页
   ·基于电解质的低电压晶体管的应用第19-24页
     ·电路第19-21页
     ·简易显示第21-22页
     ·便携式传感器第22-23页
     ·超导第23-24页
   ·本文选题依据、意义以及研究内容第24-27页
     ·本文选题的依据与意义第24-25页
     ·研究内容第25-27页
第2章 SiO_2固态电解质的制备及其极化机理研究第27-38页
   ·引言第27-28页
   ·实验部分第28-30页
     ·实验试剂以及设备第28页
     ·SiO_2固态电解质的制备过程第28-29页
     ·基于SiO_2固态电解质的In-Zn-O晶体管制备过程第29-30页
   ·实验结果与讨论第30-36页
     ·SiO_2固态电解质的极化机理以及形貌表征第30-34页
     ·基于SiO_2固态电解质的In-Zn-O薄膜晶体管的电学特性分析第34-36页
   ·本章小结第36-38页
第3章 基于质子导体的低电压透明氧化物薄膜晶体管第38-48页
   ·引言第38页
   ·实验部分第38-40页
     ·实验试剂以及设备第38-39页
     ·SiO_2质子导体的制备过程第39页
     ·单掩模自组装法制备基于SiO_2质子导体的低电压透明薄膜晶体管第39-40页
   ·实验结果与讨论第40-46页
     ·质子导体的形貌以及阻抗特性第40-42页
     ·基于质子导体的透明晶体管的电学特性分析第42-46页
   ·本章小结第46-48页
第4章 基于SiO_2固态电解质的低电压纸张氧化物薄膜晶体管及阈值电压调控第48-61页
   ·引言第48页
   ·实验部分第48-50页
     ·实验试剂以及设备第48-49页
     ·低电压SnO_2纸张薄膜晶体管的制备第49-50页
     ·低电压In-Ga-Zn-O纸张薄膜晶体管的制备及其阈值电压调控第50页
   ·实验结果与讨论第50-60页
     ·低电压SnO_2制备薄膜晶体管电学特性分析第50-54页
     ·低电压In-Ga-Zn-O纸张薄膜晶体管的电学特性分析及其阈值电压调控的原理分析第54-60页
   ·本章小结第60-61页
第5章 基于SiO_2固态电解质的低电压氧化物纳米线晶体管第61-71页
   ·引言第61-62页
   ·实验试剂和设备第62-65页
     ·实验试剂以及设备第62页
     ·Sb掺杂SnO_2纳米线的制备第62页
     ·基于SiO_2固态电解质的低电压SnO_2纳米线晶体管的制备第62-65页
     ·表征第65页
   ·实验结果与讨论第65-70页
     ·Sb掺杂SnO_2纳米线的形貌与结构分析第65页
     ·单根低电压SnO_2纳米线晶体管的电学特性分析第65-70页
   ·本章小结第70-71页
第6章 In-Zn-O晶体管的不规则阈值电压漂移以及钝化对其电学性能的影响第71-77页
   ·引言第71页
   ·实验部分第71-73页
     ·实验试剂以及设备第71-72页
     ·低电压In-Zn-O薄膜晶体管及表面钝化层的制备第72-73页
   ·实验结果与讨论第73-76页
     ·负偏压应力与光照对低电压In-Zn-O薄膜晶体管阈值电压的影响第73-74页
     ·不规则阈值电压漂移的原理分析第74-76页
   ·本章小结第76-77页
第7章 低电压双栅纸张薄膜晶体管第77-87页
   ·引言第77页
   ·实验部分第77-80页
     ·实验试剂以及设备第77-78页
     ·低电压双栅纸张薄膜晶体管制备第78-80页
   ·实验结果与讨论第80-86页
     ·纸张薄膜晶体管的电学特性分析第80-83页
     ·双栅结构调控阈值电压原理分析第83-86页
   ·本章小结第86-87页
结论第87-89页
 一、结论第87-88页
 二、展望第88-89页
参考文献第89-106页
附录A 攻读学位期间发表的学术论文情况第106-108页
附录B 攻读学位期间参与科研项目第108-109页
致谢第109页

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