| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-9页 |
| ABSTRACT | 第9-16页 |
| 1 引言 | 第16-30页 |
| ·有机薄膜晶体管的研究进展 | 第17-19页 |
| ·薄膜晶体管的工作原理 | 第19-24页 |
| ·TFT器件的结构和工作原理 | 第20-22页 |
| ·OTFT器件的结构和工作原理 | 第22-24页 |
| ·有机薄膜晶体管的应用 | 第24-27页 |
| ·传感器 | 第25-26页 |
| ·射频识别卡 | 第26页 |
| ·平板显示领域中的应用 | 第26-27页 |
| ·有机薄膜晶体管目前存在的主要问题 | 第27-28页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第28-30页 |
| 2 有机薄膜晶体管的制备和主要性能参数 | 第30-40页 |
| ·有机薄膜晶体管的制备方法 | 第30-32页 |
| ·真空蒸发镀膜 | 第30-31页 |
| ·溶液技术 | 第31-32页 |
| ·有机薄膜晶体管的制备材料 | 第32-34页 |
| ·有源层材料 | 第32-33页 |
| ·绝缘层材料 | 第33页 |
| ·电极材料 | 第33-34页 |
| ·有机薄膜晶体管的主要性能参数及其提取计算方法 | 第34-40页 |
| ·场效应迁移率 | 第36-37页 |
| ·阈值电压 | 第37页 |
| ·开关电流比 | 第37-38页 |
| ·亚阈值摆幅 | 第38-40页 |
| 3 Pentacene基薄膜晶体管中接触效应的研究 | 第40-82页 |
| ·引言 | 第40-46页 |
| ·接触电阻的组成 | 第40-43页 |
| ·接触电阻的计算方法 | 第43-46页 |
| ·采用MoO_3修饰源漏电极提高有机薄膜晶体管性能的研究 | 第46-61页 |
| ·器件的制备 | 第47-48页 |
| ·器件的测试 | 第48页 |
| ·结果和分析 | 第48-54页 |
| ·接触效应的研究 | 第54-61页 |
| ·采用富勒烯C_(60)修饰源漏电极提高有机薄膜晶体管性能的研究 | 第61-72页 |
| ·器件的制备 | 第62-63页 |
| ·器件的测试 | 第63页 |
| ·结果和分析 | 第63-72页 |
| ·采用MoO_3/C_(60)双超薄层修饰源漏电极提高有机薄膜晶体管性能的研究 | 第72-80页 |
| ·器件的制备 | 第73-74页 |
| ·器件的测试 | 第74页 |
| ·结果和分析 | 第74-78页 |
| ·器件性能提高的原因 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 4 Pentacene与超薄层界面电子结构的研究 | 第82-92页 |
| ·引言 | 第82页 |
| ·光电子能谱 | 第82-83页 |
| ·光电子能谱基本原理 | 第82-83页 |
| ·同步辐射光电子能谱 | 第83页 |
| ·Pentacene与超薄层界面电子结构的研究 | 第83-90页 |
| ·薄膜制备和测试 | 第83-85页 |
| ·结果和分析 | 第85-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 5 有机薄膜晶体管中溶液制备源漏电极界面接触效应的研究 | 第92-104页 |
| ·引言 | 第92页 |
| ·采用有机电极PEDOT为源漏电极的器件 | 第92-95页 |
| ·器件制备及测试 | 第92-93页 |
| ·结果分析 | 第93-95页 |
| ·采用水溶性CuPc为有源层的器件 | 第95-100页 |
| ·器件制备和测试 | 第95-96页 |
| ·结果和分析 | 第96-100页 |
| ·OTFTs溶液制备源漏电极界面接触效应的研究 | 第100-103页 |
| ·器件制备和测试 | 第100-101页 |
| ·结果和分析 | 第101-103页 |
| ·本章小结 | 第103-104页 |
| 6 结论 | 第104-108页 |
| 参考文献 | 第108-120页 |
| 作者简历 | 第120-126页 |
| 学位论文数据集 | 第126页 |
