| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| ·多晶硅TFT 的结构和制备 | 第7-10页 |
| ·本文实验方法与研究手段 | 第10-12页 |
| ·器件制备工艺 | 第10-11页 |
| ·实验研究手段 | 第11-12页 |
| ·多晶硅TFT 开态模型的研究动态 | 第12-17页 |
| ·MOSFET 中的开态模型 | 第12-13页 |
| ·多晶硅TFT 开态模型 | 第13-17页 |
| ·本文研究的意义 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 多晶硅TFT 有效迁移率模型 | 第20-34页 |
| ·有效迁移率的实验测量 | 第20-23页 |
| ·有效迁移率建模 | 第23-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-34页 |
| 第三章 长沟道多晶硅TFT 开态电流模型及转移特性拟合 | 第34-45页 |
| ·开态电流模型的推导 | 第34-35页 |
| ·转移特性的拟合 | 第35-38页 |
| ·模型参数的讨论 | 第38-43页 |
| ·平均有效迁移率参数 | 第38-43页 |
| ·饱和电场参数E_(SAT) | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第四章 长沟道多晶硅TFT 输出特性建模和饱和漏电压的解析表达 | 第45-58页 |
| ·输出特性建模 | 第45-48页 |
| ·模型参数优化 | 第48-50页 |
| ·饱和漏电压（V_(DSAT)）解析表达式 | 第50-56页 |
| ·本章小结 | 第56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第五章 结论及未来工作 | 第58-62页 |
| 一. 主要结果 | 第58-59页 |
| 二 未来的工作 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 附录 | 第64-65页 |