| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 序 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·透明非晶氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT) | 第12-14页 |
| ·铟镓锌氧化物(IGZO) | 第14-16页 |
| ·IGZO简介 | 第14-15页 |
| ·a-IGZO薄膜的结构 | 第15-16页 |
| ·IGZO-TFT的发展与研究现状 | 第16-19页 |
| ·IGZO-TFT的发展 | 第16页 |
| ·IGZO-TFT的研究现状 | 第16-19页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第19-20页 |
| 第二章 薄膜晶体管工作原理与薄膜形成机理 | 第20-34页 |
| ·薄膜晶体管的结构与材料 | 第20-25页 |
| ·薄膜晶体管的结构 | 第20-22页 |
| ·薄膜晶体管的材料 | 第22-25页 |
| ·薄膜晶体管的工作机理与性能参数 | 第25-30页 |
| ·无机MOS场效应晶体管 | 第25-26页 |
| ·薄膜晶体管的工作机理 | 第26-27页 |
| ·薄膜晶体管的性能参数 | 第27-29页 |
| ·薄膜晶体管的载流子注入与传输 | 第29-30页 |
| ·薄膜的形成机理 | 第30-34页 |
| ·磁控溅射原理 | 第30-32页 |
| ·薄膜的生长过程和形成机理 | 第32-34页 |
| 第三章 铟镓锌氧化物薄膜的研究 | 第34-45页 |
| ·IGZO薄膜的制备 | 第34-36页 |
| ·IGZO薄膜的表征与特性研究 | 第36-42页 |
| ·IGZO薄膜的电子结构 | 第36-38页 |
| ·IGZO薄膜的结晶性 | 第38页 |
| ·IGZO薄膜的表面形貌 | 第38-39页 |
| ·IGZO薄膜的光学性能 | 第39-42页 |
| ·不同溅射功率对IGZO薄膜生长影响的研究 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 不同有源层厚度对IGZO-TFT性能影响的研究 | 第45-51页 |
| ·器件制备 | 第45-46页 |
| ·结果与分析 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 退火处理对IGZO-TFT性能影响的研究 | 第51-57页 |
| ·器件制备 | 第51-52页 |
| ·结果与分析 | 第52-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 作者简历 | 第61-63页 |
| 学位论文数据集 | 第63页 |