| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·研究背景 | 第9-10页 |
| ·研究现状 | 第10-11页 |
| ·研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 a-si:H TFT 正向工作区的直流特性 | 第13-27页 |
| ·正向工作区的统一的漏电流模型 | 第13-19页 |
| ·模型与实验数据的对比 | 第19-21页 |
| ·源-漏电阻对漏电流的影响 | 第21-23页 |
| ·计算载流子浓度简易方法 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 a-si:H TFT 正向工作区的温度特性 | 第27-37页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·温度对 I-V 特性的影响 | 第27-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 双栅 a-si:H TFT 正向工作区的直流特性 | 第37-52页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·前背沟道中的电势分布 | 第37-43页 |
| ·双栅 a-si:H TFT 的直流模型 | 第43-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 答辩委员会对论文的评定意见 | 第59页 |