面向平板显示的P型多晶硅薄膜晶体管在交直流电应力下的退化研究
| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·薄膜晶体管技术简介 | 第10-12页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管可靠性研究现状 | 第12-19页 |
| ·本文实验器件与研究方法 | 第19-21页 |
| ·器件结构及制备工艺 | 第19-20页 |
| ·实验研究方法 | 第20-21页 |
| ·论文的结构安排 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第二章 直流栅正偏置温度应力下的退化研究 | 第26-41页 |
| ·直流栅正偏置温度不稳定性综述 | 第26-29页 |
| ·器件退化规律研究 | 第29-34页 |
| ·器件转移特性退化规律 | 第29-30页 |
| ·器件退化与直流应力幅度的关系 | 第30-32页 |
| ·器件退化与温度的关系 | 第32-34页 |
| ·两阶段退化模型分析 | 第34-35页 |
| ·两阶段退化模型的验证和讨论 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第三章 交流栅正偏置温度应力下的退化研究 | 第41-56页 |
| ·交流栅正偏置温度不稳定性综述 | 第41-43页 |
| ·器件退化规律研究 | 第43-49页 |
| ·器件转移特性退化规律 | 第44-45页 |
| ·器件退化与交流应力上升沿下降沿的关系 | 第45-46页 |
| ·器件退化与交流应力幅度的关系 | 第46-48页 |
| ·器件退化与温度的关系 | 第48-49页 |
| ·器件退化机制研究 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第四章 漏端动态脉冲电应力下的退化研究 | 第56-71页 |
| ·TFT漏端动态脉冲电应力退化综述 | 第56-58页 |
| ·器件退化规律 | 第58-63页 |
| ·器件转移特性退化规律 | 第59页 |
| ·动态退化效应研究 | 第59-61页 |
| ·器件退化与交流脉冲上升沿下降沿的关系 | 第61-62页 |
| ·器件退化与交流脉冲幅度的关系 | 第62-63页 |
| ·器件退化与沟道长度的关系 | 第63页 |
| ·非平衡态PN结退化模型分析 | 第63-65页 |
| ·p型TFT的退化机制讨论 | 第65-66页 |
| ·软件瞬态模拟分析 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第五章 结论及未来工作 | 第71-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
