| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·研究背景 | 第7-13页 |
| ·GaN 材料特性 | 第7-10页 |
| ·AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 | 第10-13页 |
| ·研究意义 | 第13-14页 |
| ·本文主要工作 | 第14-17页 |
| 第二章 TCAD 仿真工具与物理模型 | 第17-33页 |
| ·Sentaurus 集成化仿真平台 | 第17-21页 |
| ·TCAD 简介 | 第17-18页 |
| ·新一代集成化仿真平台 Sentaurus | 第18页 |
| ·Sentaurus 中的主要工具 | 第18-21页 |
| ·数值计算的基本物理模型 | 第21-32页 |
| ·半导体器件基本方程 | 第21-24页 |
| ·物理模型及参数 | 第24-30页 |
| ·电学边界条件 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 直流特性仿真 | 第33-49页 |
| ·2DEG 的仿真实现 | 第33-40页 |
| ·自发极化和压电极化 | 第33-35页 |
| ·Sentaurus 中的极化模型 | 第35-38页 |
| ·异质结表面态与屏蔽电荷 | 第38-40页 |
| ·器件结构与网格划分 | 第40-41页 |
| ·HEMT 器件边界条件设置 | 第41-43页 |
| ·栅电极肖特基势垒 | 第41-42页 |
| ·源漏电极欧姆接触 | 第42页 |
| ·界面陷阱和体陷阱 | 第42-43页 |
| ·直流特性仿真结果 | 第43-47页 |
| ·基于漂移-扩散模型的直流特性 | 第43-45页 |
| ·基于流体动力学模型的直流特性 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 电流崩塌分析 | 第49-63页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 中的电流崩塌效应 | 第49-50页 |
| ·载流子分布的量子化修正 | 第50-51页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 直流电流崩塌特性仿真 | 第51-61页 |
| ·仿真与机理分析 | 第51-54页 |
| ·陷阱浓度对直流电流崩塌的影响 | 第54-57页 |
| ·自热效应对直流电流崩塌的影响 | 第57-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
