| 中文摘要 | 第1-4页 |
| abstract | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-18页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管简介 | 第6-10页 |
| ·多晶硅TFT 在平板显示中的应用 | 第6-7页 |
| ·金属诱导横向结晶多晶硅简介 | 第7-8页 |
| ·多晶硅TFT 的典型结构 | 第8-10页 |
| ·n 型多晶硅TFT 直流退化的典型机制介绍 | 第10-12页 |
| ·氢化的原理及氢化对器件的影响 | 第12-14页 |
| ·氢化的原理 | 第12-13页 |
| ·氢化对器件的影响 | 第13-14页 |
| ·MILC 实验器件制备 | 第14-18页 |
| ·实验器件制备 | 第14-16页 |
| ·氢化的设备及工艺 | 第16-18页 |
| 第二章 氢化对MILC 多晶硅薄膜晶体管热载流子应力下转移特性的影响 | 第18-34页 |
| ·器件测试方法及应力条件 | 第18-20页 |
| ·应力前器件的性能比较 | 第20-24页 |
| ·热载流子退化特性比较 | 第24-29页 |
| ·机制分析 | 第29-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第三章 氢化对MILC 多晶硅薄膜晶体管热载流子应力下输出特性的影响 | 第34-46页 |
| ·输出特性的测量及参数提取 | 第34-35页 |
| ·氢化对输出特性各参数热载流子退化的影响 | 第35-45页 |
| ·器件饱和电流I_(dsat) | 第35-42页 |
| ·器件饱和电压V_(dsat) | 第42-43页 |
| ·Kink 电流 | 第43-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第四章 结论 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 详细摘要 | 第55-57页 |