| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 序 | 第10-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-18页 |
| ·氧化锌薄膜晶体管的历史 | 第13页 |
| ·氧化锌薄膜晶体管的研究现状 | 第13页 |
| ·氧化锌薄膜晶体管存在的问题 | 第13-14页 |
| ·薄膜形成机理及模式 | 第14-15页 |
| ·薄膜形成机理 | 第14页 |
| ·薄膜形成模式 | 第14-15页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第15-17页 |
| ·磁控溅射法 | 第15-16页 |
| ·真空热蒸发 | 第16-17页 |
| ·旋转甩膜 | 第17页 |
| ·本论文研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜晶体管的机理 | 第18-26页 |
| ·薄膜晶体管的结构 | 第18-19页 |
| ·底栅顶接触 | 第18-19页 |
| ·底栅底接触 | 第19页 |
| ·顶栅底接触 | 第19页 |
| ·顶栅顶接触 | 第19页 |
| ·薄膜晶体管的工作原理 | 第19-22页 |
| ·MOSFET工作原理 | 第19-21页 |
| ·薄膜晶体管(TFT)的工作原理 | 第21-22页 |
| ·MOSFET与TFT的对比 | 第22页 |
| ·薄膜晶体管的性能参数 | 第22-24页 |
| ·阈值电压(V_(TH)) | 第23页 |
| ·场效应迁移率μ | 第23-24页 |
| ·开关电流比I_(ON)/I_(OFF) | 第24页 |
| ·亚阈值摆幅 | 第24页 |
| ·氧化锌薄膜晶体管的材料 | 第24-26页 |
| ·衬底 | 第24-25页 |
| ·源漏电极及栅电极 | 第25页 |
| ·半导体有源层 | 第25页 |
| ·栅绝缘层 | 第25-26页 |
| 第三章 不同厚度有源层对氧化锌薄膜晶体管性能的影响 | 第26-40页 |
| ·不同厚度氧化锌有源层对氧化锌薄膜晶体管性能的影响 | 第26-39页 |
| ·实验过程及测试 | 第26-29页 |
| ·测试结果及分析 | 第29-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 不同界面修饰材料对氧化锌薄膜晶体管性能的影响 | 第40-51页 |
| ·利用LiF修饰有源层/源漏电极界面对薄膜晶体管性质的影响 | 第40-47页 |
| ·实验过程 | 第40-42页 |
| ·测试结果及分析 | 第42-47页 |
| ·利用MoO_3修饰有源层/源漏电极界面对薄膜晶体管性质的影响 | 第47-50页 |
| ·实验过程 | 第47-48页 |
| ·测试结果及分析 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 有机/无机复合薄膜晶体管 | 第51-67页 |
| ·并五苯薄膜的制备及表征 | 第51-56页 |
| ·并五苯薄膜的制备 | 第51-53页 |
| ·并五苯薄膜的表征 | 第53-56页 |
| ·界面修饰对ZnO/Pentacene-TFT性能的影响 | 第56-60页 |
| ·ZnO/Pentacene-TFT的结构 | 第56页 |
| ·有无PhTMs修饰对ZnO/Pentacene-TFT性能的影响 | 第56-60页 |
| ·不同并五苯层厚度对ZnO/Pentacene-TFT性能的影响 | 第60-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 作者简历 | 第71-73页 |
| 学位论文数据集 | 第73页 |
