氧化锌基薄膜晶体管的制备及特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·课题背景及意义 | 第10-11页 |
| ·ZnO-TFT的发展历程及研究现状 | 第11-13页 |
| ·ZnO-TFT在液晶显示技术中的应用 | 第13-18页 |
| ·ZnO-TFT的高透射率 | 第13-16页 |
| ·ZnO-TFT在LCD中的应用 | 第16页 |
| ·ZnO-TFT在AMOLED中的应用 | 第16-17页 |
| ·LCD和AMOLED技术对TFT性能的要求 | 第17-18页 |
| ·氧化锌基薄膜晶体管的优势和存在的问题 | 第18-19页 |
| ·氧化锌基薄膜晶体管的优势 | 第18-19页 |
| ·氧化锌基薄膜晶体管存在的问题 | 第19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 第二章 氧化锌薄膜晶体管的基本知识 | 第20-32页 |
| ·ZnO薄膜的基本性质 | 第20-26页 |
| ·ZnO的结构性质 | 第20-22页 |
| ·氧化锌薄膜的性质 | 第22-23页 |
| ·氧化锌薄膜特性表征及其原理 | 第23-26页 |
| ·ZnO-TFT的基础知识 | 第26-31页 |
| ·ZnO-TFT的基本结构 | 第26-27页 |
| ·ZnO-TFT的基本原理 | 第27-30页 |
| ·ZnO-TFT 主要电学性能参数 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 ZnO-TFT样品的制备与测试 | 第32-43页 |
| ·ZnO薄膜的常用制备方法介绍 | 第32-36页 |
| ·分子束外延法（MBE） | 第32页 |
| ·金属有机化合物化学气相淀积法（MOCVD） | 第32-33页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD） | 第33页 |
| ·原子层淀积（ALD） | 第33页 |
| ·溶胶-凝胶法（sol-gel） | 第33-34页 |
| ·射频磁控溅射法（RFMS） | 第34-36页 |
| ·ZnO-TFT样品的制备 | 第36-40页 |
| ·基片清洗 | 第36-37页 |
| ·栅介质层的制备 | 第37-38页 |
| ·有源层ZnO的制备 | 第38-39页 |
| ·源漏电极制备 | 第39-40页 |
| ·ZnO-TFT特性测试仪器 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 制备工艺对ZnO-TFT特性的影响 | 第43-50页 |
| ·氧分压比对ZnO薄膜结构的影响 | 第43-45页 |
| ·氧分压比对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第43-44页 |
| ·氧分压比对ZnO薄膜组分的影响 | 第44-45页 |
| ·氧分压比对ZnO薄膜晶向的影响 | 第45页 |
| ·氧分压比对ZnO-TFT电学性能的影响 | 第45-48页 |
| ·基底温度对ZnO薄膜及其晶体管性能的影响 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 ZnO-TFT稳定性分析 | 第50-65页 |
| ·ZnO-TFT光诱导稳定性分析 | 第50-56页 |
| ·ZnO-TFT热稳定性分析 | 第56-61页 |
| ·ZnO-TFT应力特性分析 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 附件 | 第73页 |
