| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| ·微波放大器的研究进展 | 第13-16页 |
| ·氮化镓材料器件的研究进展 | 第16-20页 |
| ·氮化镓器件的优势 | 第16-18页 |
| ·氮化镓器件的研究现状 | 第18-20页 |
| ·氮化镓器件的应用研究进展 | 第20页 |
| ·本论文研究内容 | 第20-25页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HMET材料与器件 | 第25-37页 |
| ·AlGaN/GaN异质结材料 | 第25-29页 |
| ·AlGaN/GaN材料衬底选择 | 第25-26页 |
| ·AlGaN/GaN材料自发极化和压电极化 | 第26-27页 |
| ·AlGaN/GaN异质结材料二维电子气 | 第27-28页 |
| ·AlGaN/GaN异质结材料结构和制备 | 第28-29页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的制造 | 第29-31页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件制作关键工艺 | 第29-30页 |
| ·本文AlGaN/GaN HEMT器件的制造 | 第30-31页 |
| ·GaN HEMT器件测试分析 | 第31-35页 |
| ·器件直流特性测试 | 第31-32页 |
| ·器件电流崩塌测试与分析 | 第32-35页 |
| ·击穿电压测试 | 第35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HMET器件表征与分析 | 第37-57页 |
| ·微波测量基础 | 第37-42页 |
| ·二端口微波网络散射参量 | 第37-39页 |
| ·二端口网络功率增益 | 第39-41页 |
| ·误差模型与校准 | 第41-42页 |
| ·氮化镓器件小信号测试 | 第42-47页 |
| ·100um器件小信号表征 | 第42-47页 |
| ·1 mm器件小信号表征 | 第47页 |
| ·氮化镓器件大信号测试 | 第47-54页 |
| ·负载牵引系统简介 | 第48-49页 |
| ·100um器件负载牵引测试与分析 | 第49-52页 |
| ·1mm器件负载牵引测试与尺寸变换 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-57页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HMET器件模型研究 | 第57-75页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的小信号模型 | 第57-66页 |
| ·寄生参数提取 | 第59-62页 |
| ·本征参数提取 | 第62-64页 |
| ·拟合结果比较与分析 | 第64-66页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的大信号模型 | 第66-73页 |
| ·直流特性模型 | 第68-71页 |
| ·EEHMET 大信号模型 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 基于氮化镓器件的微波放大器设计 | 第75-95页 |
| ·微波功率放大器的稳定性 | 第76-82页 |
| ·稳定性条件和稳定准则 | 第76-77页 |
| ·稳定区域判断 | 第77-79页 |
| ·GaN 异质结器件稳定性研究 | 第79-82页 |
| ·氮化镓功率放大器的匹配网络和偏置网络设计 | 第82-89页 |
| ·微带传输线 | 第83-85页 |
| ·微带匹配电路 | 第85-87页 |
| ·直流偏置网络设计 | 第87-89页 |
| ·功率放大器的模块机械结构设计 | 第89-91页 |
| ·功率放大器的实现与大信号测试 | 第91-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 第六章 基于氮化镓器件的功率合成模块研究 | 第95-117页 |
| ·功率合成技术简介 | 第96-98页 |
| ·芯片合成 | 第96页 |
| ·电路级合成 | 第96-97页 |
| ·空间合成 | 第97页 |
| ·多级合成 | 第97-98页 |
| ·功率分配/合成器制作 | 第98-105页 |
| ·功率分配/合成器基本理论 | 第98-99页 |
| ·改进型 3/4λ枝节Wilkinson功分器设计 | 第99-105页 |
| ·基于氮化镓HEMT的合成放大器设计 | 第105-115页 |
| ·氮化镓两路合成放大器设计 | 第106-108页 |
| ·氮化镓四路合成放大器设计 | 第108-110页 |
| ·基于氮化镓HEMT器件的功率合成技术结果分析 | 第110-115页 |
| ·本章小结 | 第115-117页 |
| 第七章 结束语 | 第117-121页 |
| 致谢 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-133页 |
| 博士期间研究成果 | 第133-136页 |