| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 致谢 | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-36页 |
| ·OTFT 的基本原理和工作模式 | 第13-16页 |
| ·OTFT 的结构 | 第13-14页 |
| ·有机薄膜晶体管(OTFT)的工作机理 | 第14-16页 |
| ·OTFT 性能参数表征 | 第16-17页 |
| ·阈值电压 | 第16页 |
| ·载流子迁移率 | 第16-17页 |
| ·开关电流比(Ion/off) | 第17页 |
| ·OTFT 的材料 | 第17-19页 |
| ·有机半导体材料 | 第17-18页 |
| ·夹层介电质材料 | 第18页 |
| ·电极材料 | 第18-19页 |
| ·OTFT 的应用 | 第19-21页 |
| ·制备高性能 P3HT/绝缘聚合物共混物 OTFT 的方法 | 第21页 |
| ·垂直相分离法 | 第21-31页 |
| ·高分子共混物中的相行为 | 第22-24页 |
| ·一步法制备半导体层与绝缘层在 OTFT 中的应用 | 第24-26页 |
| ·提高环境稳定性 | 第26-27页 |
| ·高分子共混物的图案化 | 第27-28页 |
| ·提高载流子迁移率 | 第28-30页 |
| ·结晶诱导垂直相分离 | 第30-31页 |
| ·P3HT 纳米线/绝缘聚合物共混物 | 第31-34页 |
| ·聚（3-烷基噻吩）纳米线 | 第31-32页 |
| ·有 P3HT 纳米线的高分子共混物 | 第32-33页 |
| ·共轭嵌段共聚物纳米线 | 第33-34页 |
| ·电纺法制备纳米线 | 第34页 |
| ·总结 | 第34-35页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第35-36页 |
| 第二章 基于 P3HT/PCL 共混物 OTFT 的制备与性能研究 | 第36-42页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验 | 第37页 |
| ·实验原料及仪器 | 第37页 |
| ·器件的制备与测试 | 第37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-41页 |
| ·不同聚合物组分对共混膜电学性能的影响 | 第37-39页 |
| ·不同聚合物组分对共混膜相形态的影响 | 第39-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第三章 基于 P3HT/PCL 低温熔融法制备 OTFT 的研究 | 第42-48页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·实验 | 第43-44页 |
| ·实验所需材料与仪器 | 第43页 |
| ·器件的制备与表征 | 第43-44页 |
| ·器件的制备 | 第43-44页 |
| ·器件性能表征 | 第44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-47页 |
| ·热力学性能研究 | 第44-45页 |
| ·共混膜电性能的研究 | 第45-46页 |
| ·P3HT/PCL 共混膜力学性能的研究 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第四章 基于 P3HT/PVCn 图案化工艺的研究及器件制备 | 第48-58页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·实验 | 第49-50页 |
| ·实验所需材料与仪器 | 第49页 |
| ·实验过程 | 第49-50页 |
| ·器件的制备 | 第49-50页 |
| ·实验表征 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-57页 |
| ·图案化工艺 | 第50-52页 |
| ·光刻蚀溶剂与刻蚀方法的探讨 | 第52-53页 |
| ·紫外曝光时间的选择及对器件电性能的影响 | 第53-54页 |
| ·曝光时间对器件电性能的影响 | 第54-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| ·结论 | 第58-59页 |
| ·展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第68-69页 |
| 附录 | 第69-70页 |
