| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-14页 |
| ·研究背景 | 第6-10页 |
| ·传统计算机的性能发展的局限性 | 第7页 |
| ·分子计算机的研制需要解决的问题 | 第7-8页 |
| ·分子计算机研制的最新进展 | 第8-10页 |
| ·选题依据及本文的工作 | 第10-14页 |
| ·选题依据 | 第10-11页 |
| ·本文的工作 | 第11-14页 |
| 第二章 分子电子元件伏安特性的算法设计 | 第14-33页 |
| ·本算法的设计背景 | 第14-16页 |
| ·分子结的伏安特性 | 第14页 |
| ·目前的计算方法及算法 | 第14-15页 |
| ·本文的算法设计 | 第15-16页 |
| ·金属表面电子密度分布 | 第16-18页 |
| ·金属电极之间无分子时的电子密度分布 | 第18-31页 |
| ·两个空的金属电极未加偏压时的电子密度分布 | 第18-20页 |
| ·两个空的金属电极加上偏压后电子密度分布计算及相关程序 | 第20-31页 |
| ·施加偏压后从左电极出发的电子的波函数 | 第21-23页 |
| ·施加偏压后从右电极出发的电子的波函数 | 第23-26页 |
| ·正负电荷产生的静电势 | 第26-28页 |
| ·交换关联势 | 第28-30页 |
| ·有效势的计算 | 第30-31页 |
| ·两个电极之间放入分子后电子元件的电流电压特性计算 | 第31-33页 |
| 第三章 算法的可靠性测试与功能性验证 | 第33-41页 |
| ·算法的可靠性测试 | 第33-34页 |
| ·算法的功能性验证 | 第34-41页 |
| 第四章 总结 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 详细摘要 | 第49-51页 |