二氧化钒薄膜晶体管开关特性研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-7页
1 绪论	第7-17页
·引言	第7页
·VO_2 的相变特性及机理	第7-11页
·VO_2 的应用及研究现状	第11-14页
·课题来源及研究内容	第14-17页
2 VO_2 薄膜的制备及测试	第17-31页
·VO_2 薄膜制备方法简介	第17-20页
·基片的清洗与氧化	第20-22页
·磁控溅射制备VO_2 薄膜	第22-25页
·薄膜样品分析测试	第25-31页
3 VO_2 薄膜TFT 的设计与制备	第31-47页
·VO_2 薄膜TFT 的设计	第31-39页
·TFT 简介及其特点	第31-33页
·TFT 的结构设计	第33-35页
·光刻掩膜板版图的绘制	第35-39页
·VO_2 薄膜TFT 的制备	第39-46页
·相关IC 工艺简介	第39-42页
·TFT 的制备流程	第42-46页
·本章小结	第46-47页
4 VO_2 薄膜TFT 的测试与分析	第47-56页
·I_(DS)-V_(DS) 伏安特征	第47-51页
·I_(DS)-V_(GS) 转移特性	第51-53页
·介电栅漏电流I_(GSO)	第53-56页
5 总结	第56-57页
致谢	第57-58页
参考文献	第58-60页