ZnO薄膜晶体管的模型与新结构研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·ZnO 材料基本特性及研究意义 | 第7-9页 |
| ·ZnO 薄膜晶体管发展概述 | 第9-10页 |
| ·论文工作及编排 | 第10-13页 |
| 第二章 ZnO 薄膜晶体管器件 | 第13-21页 |
| ·ZnO 薄膜晶体管器件概述 | 第13-17页 |
| ·ZnO 薄膜晶体管的应用 | 第13-14页 |
| ·ZnO 薄膜晶体管器件结构 | 第14-16页 |
| ·ZnO 薄膜晶体管电流输运方程 | 第16-17页 |
| ·晶粒间界概述 | 第17-18页 |
| ·仿真中的模型与基本方程 | 第18-21页 |
| 第三章 ZnO 薄膜晶体管的模型建立 | 第21-35页 |
| ·考虑深能级和带尾态的 ZnO TFT 模型 | 第21-24页 |
| ·器件结构 | 第21-22页 |
| ·模型基本条件 | 第22-23页 |
| ·晶界处缺陷态构成 | 第23-24页 |
| ·建模结果和讨论 | 第24-32页 |
| ·拟合结果和参数 | 第24-28页 |
| ·带尾态缺陷参数对 ZnO TFT 的影响 | 第28-29页 |
| ·深能级缺陷参数对 ZnO TFT 的影响 | 第29-30页 |
| ·晶界缺陷对器件性能影响的解释 | 第30-31页 |
| ·界面电荷参数的影响 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-35页 |
| 第四章 双栅 ZnO 薄膜晶体管研究 | 第35-51页 |
| ·双栅结构薄膜晶体管 | 第35-44页 |
| ·器件结构简介 | 第35-36页 |
| ·底栅-顶栅短路模式 | 第36-39页 |
| ·顶栅工作模式-TG 模式 | 第39-40页 |
| ·底栅工作模式-BG 模式 | 第40-41页 |
| ·三种工作模式的比较 | 第41-44页 |
| ·源漏接触方式对于器件性能的影响 | 第44-50页 |
| ·源漏接触方式效应简介 | 第44-45页 |
| ·大栅压区域的晶体管性能的差异 | 第45-47页 |
| ·小栅压区域晶体管性能的差异 | 第47-49页 |
| ·源漏接触方式的优化 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 双栅双介质薄膜晶体管研究 | 第51-65页 |
| ·器件结构简介 | 第51-52页 |
| ·DGDI-TFT 性能改善的机理研究 | 第52-58页 |
| ·沟道处能带图分析 | 第52-55页 |
| ·晶界势垒 Vb的分析 | 第55-58页 |
| ·影响 DGDI-TFT 性能的参数研究 | 第58-62页 |
| ·材料介电常数的影响 | 第58-60页 |
| ·高 k 介质层厚度的影响 | 第60-61页 |
| ·DOS 参数对于 DGDI-TFT 的影响 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| ·工作总结 | 第65-66页 |
| ·研究展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 作者在读期间的研究成果 | 第75-76页 |
