| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-34页 |
| ·引言 | 第12-14页 |
| ·薄膜晶体管的起源和发展 | 第14-29页 |
| ·薄膜晶体管的发明 | 第14-15页 |
| ·TFT的器件结构 | 第15-17页 |
| ·不同半导体沟道的TFT性能比较 | 第17-18页 |
| ·透明氧化物半导体沟道TFT的综述 | 第18-21页 |
| ·双电层栅介质TFT的兴起 | 第21-29页 |
| ·氧化物TFT的应用 | 第29-31页 |
| ·本论文的选题依据 | 第31-32页 |
| ·本论文的主要研究内容及章节安排 | 第32-34页 |
| 第2章 SiO_2纳米颗粒膜的双电层效应 | 第34-50页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·SiO_2栅介质薄膜的分析 | 第34-44页 |
| ·SiO_2栅介质的薄膜沉积及测试样品的制备 | 第34-40页 |
| ·SiO_2栅介质的薄膜结构表征及电学性能分析 | 第40-44页 |
| ·基于SiO_2纳米颗粒膜栅介质的低电压透明IGZO沟道TFT | 第44-49页 |
| ·透明IGZO沟道TFT的器件制备工艺 | 第44-46页 |
| ·透明IGZO沟道TFT的器件测试结果与讨论 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第3章 垂直沟道低电压透明ITO薄膜晶体管 | 第50-63页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·实验试剂和设备 | 第51页 |
| ·垂直沟道ITO薄膜晶体管的器件制备工艺 | 第51-53页 |
| ·实验结果与讨论 | 第53-61页 |
| ·以LiCl溶液处理的SiO_2纳米颗粒膜栅介质垂直沟道TFT | 第53-58页 |
| ·以H_3PO_4溶液处理的SiO_2纳米颗粒膜栅介质垂直沟道TFT | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第4章 自组装ITO沟道柔性透明TFT | 第63-72页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·实验试剂和设备 | 第63-64页 |
| ·自组装ITO沟道柔性透明TFT的制备工艺 | 第64-65页 |
| ·实验结果与讨论 | 第65-70页 |
| ·自组装沟道和源漏电极的表征 | 第65-67页 |
| ·柔性透明自组装ITO沟道TFT的电学性能分析 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第5章 单侧栅静电调控自组装ITO沟道TFT | 第72-86页 |
| ·引言 | 第72页 |
| ·实验试剂和设备 | 第72-73页 |
| ·器件制备工艺 | 第73-75页 |
| ·单侧栅全透明自组装沟道TFT的制备 | 第73-74页 |
| ·单侧栅自组装沟道柔性纸张TFT的制备 | 第74-75页 |
| ·实验结果与讨论 | 第75-84页 |
| ·单侧栅全透明自组装沟道TFT的电学性能分析 | 第75-79页 |
| ·单侧栅柔性自组装沟道纸张TFT的电学性能分析 | 第79-84页 |
| ·本章小结 | 第84-86页 |
| 第6章 双栅共平面电极自组装沟道TFT | 第86-95页 |
| ·引言 | 第86-87页 |
| ·实验试剂和设备 | 第87页 |
| ·双栅共平面电极自组装沟道TFT的器件制备工艺 | 第87-88页 |
| ·实验结果与讨论 | 第88-94页 |
| ·双侧栅电极静电调控机制 | 第88-90页 |
| ·双栅共平面电极自组装沟道TFT的电学性能测试与讨论 | 第90-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 第7章 无结ITO沟道TFT | 第95-108页 |
| ·引言 | 第95-96页 |
| ·实验试剂和设备 | 第96页 |
| ·器件制备工艺 | 第96-99页 |
| ·无结ITO沟道纸张TFT的制备 | 第96-98页 |
| ·无结共平面栅透明TFT的制备 | 第98-99页 |
| ·实验结果与讨论 | 第99-106页 |
| ·无结ITO沟道纸张TFT的电学性能测试与讨论 | 第99-103页 |
| ·无结共平面栅透明TFT的电学性能测试与讨论 | 第103-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 结论 | 第108-111页 |
| 一、结论 | 第108-109页 |
| 二、展望 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 附录A 攻读学位期间发表的学术论文情况 | 第121-122页 |
