4.5kV IEGT的IE效应与特性分析
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·IEGT器件的发展概况 | 第8-12页 |
| ·IEGT结构的提出 | 第8-9页 |
| ·IEGT器件的发展 | 第9-11页 |
| ·IEGT器件制造工艺的发展 | 第11-12页 |
| ·IEGT的应用前景与研究意义 | 第12-13页 |
| ·本文主要工作 | 第13-14页 |
| 2 IEGT器件的结构、工作原理及特性 | 第14-20页 |
| ·IEGT的器件结构和分类 | 第14页 |
| ·IEGT的工作机理及其等效电路 | 第14-15页 |
| ·工作机理 | 第15页 |
| ·等效电路 | 第15页 |
| ·IEGT的特性分析 | 第15-17页 |
| ·电子注入增强因子 | 第16页 |
| ·通态压降 | 第16页 |
| ·正向阻断电压 | 第16-17页 |
| ·开关时间 | 第17页 |
| ·IEGT的闩锁效应 | 第17-18页 |
| ·IEGT的安全工作区 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 3 IE效应的研究 | 第20-27页 |
| ·P-IEGT的IE效应 | 第20-21页 |
| ·T-IEGT的IE效应 | 第21-24页 |
| ·沟槽结构参数对通态压降的影响 | 第21-22页 |
| ·沟槽结构参数对IE效应的影响 | 第22-24页 |
| ·带N阻挡层T-IEGT的IE效应 | 第24-26页 |
| ·N阻挡层的作用机理 | 第24-25页 |
| ·N阻挡层对通态特性的影响 | 第25页 |
| ·N阻挡层对IE效应的影响 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 4 IEGT的特性模拟与优化设计 | 第27-40页 |
| ·P-IEGT的特性模拟 | 第27-34页 |
| ·关键结构参数对器件特性影响 | 第27-31页 |
| ·少子寿命对器件的影响 | 第31-34页 |
| ·4.5 KV P-IEGT结构参数的提取 | 第34页 |
| ·T-IEGT的特性模拟 | 第34-38页 |
| ·沟槽结构参数对器件特性影响 | 第34-38页 |
| ·4.5 KV T-IEGT结构参数的提取 | 第38页 |
| ·带有N阻挡层的T-IEGT的特性分析与模拟 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 5 P-IEGT的高温特性模拟与闩锁效应分析 | 第40-51页 |
| ·高温分析模型的建立 | 第40-46页 |
| ·高温特性的模拟 | 第46-47页 |
| ·温度对静态特性的影响 | 第46-47页 |
| ·温度对开关特性的影响 | 第47页 |
| ·高温闩锁效应 | 第47-50页 |
| ·高温对闩锁电流的影响 | 第47-49页 |
| ·高温闩锁效应的改善 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 6 P-IEGT的高压终端结构分析 | 第51-55页 |
| ·常用的结终端技术 | 第51页 |
| ·P-IEGT终端结构的设计 | 第51-54页 |
| ·场环的设计 | 第51-53页 |
| ·场板的设计 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 7 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考资料 | 第57-60页 |
