当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
轻气体离子注入Si基材料引起的损伤及其机制研究
GaN基器件肖特基接触的新结构和新材料的研究
新型半导体材料和红外器件的输运性质研究
几种半导体材料电子结构及光催化性质的理论研究
半导体及多铁材料的磁性研究
有机半导体材料的自组装及其理论研究
多酸/半导体复合膜的制备及其光电性能研究
3d过渡金属基Ⅱ-Ⅵ族半导体缺陷特性的理论研究
面向NPSS的滚对平面纳米压印光刻机的研究与开发
空穴传输材料NPB载流子输运特性研究
基于Petri Net的双臂组合设备的故障响应策略的研究
掺杂锐钛矿相TiO2的第一性原理研究
掺杂ZnO的第一性原理研究
氧化锌电子结构的理论研究
钴掺杂氧化锌的第一性原理研究
SiC、Si和CdS半导体纳米晶的制备及其发光性能
GaSb基金属/半导体接触势垒调制的技术研究
Zn扩散制备GaSb PN结的工艺及物性研究
硅微通道阵列氧化绝缘技术及应力问题研究
激光干涉光刻的极限尺寸研究
NixMg1-xO薄膜的制备技术研究
硅微通道板电化学微加工等径控制技术研究
InP材料表面改性及光学性质研究
硅微通道阵列通透结构释放与整形技术研究
硅微通道板电化学腐蚀系统光生载流子输运特性研究
氮化硼的半导体特性和紫外光电探测器的基础研究
化合物半导体缺陷物理及表面激发态动力学的第一性原理研究
ZnO微米线异质结发光器件的制备及研究
TiO2@NaYF4:Yb,Tm核壳结构红外光催化材料的设计、制备及其光催化性质的研究
基于扫描拼接的大面积光刻技术研究
SiC半导体材料抗辐照特性研究
基于金属粒子催化腐蚀法制备硅多孔微结构技术研究
N型宏孔硅光电化学腐蚀的电流自动控制技术研究
锑化物的外延生长及其物性研究
极紫外多层膜光学元件表面污染研究
荷电粒子束辐照作用下若干光学器件及半导体材料的微观结构和性能
新型螺芴基有机半导体的制备及其光电性质研究
Beta-氧化镓异质外延薄膜的制备及特性研究
多孔金属氧化物半导体材料的合成及其性能研究
ZnTe薄膜和GaN基异质结构的制备及光学特性
SnO2纳米结构的形貌与退火温度及时间的关系研究
介孔二氧化硅材料的制备与表征
W掺杂及WO3复合TiO2的磁性能和光学性能研究
半导体薄膜的制备及其光催化和光电性能研究
掺杂纳米TiO2制备及其选择性光催化研究
基于蒙特卡洛方法的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体输运特性研究
现代半导体制造中质量控制和评价的关键技术研究
半导体器件的电磁损伤效应与机理研究
GaN上外延GaN的生长界面及其处理方法研究
N面GaN外延材料生长与背景载流子抑制方法研究
上一页
[41]
[42]
[43]
[44]
[45]
下一页