| 中文摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·引言 | 第10-13页 |
| ·本论文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 轻气体离子注入单晶Si 损伤形成及演变过程 | 第15-37页 |
| ·离子与固体相互作用过程 | 第15-27页 |
| ·核阻止 | 第17-21页 |
| ·电子阻止 | 第21-22页 |
| ·离子射程分布 | 第22-25页 |
| ·注入损伤及演变 | 第25-27页 |
| ·轻气体离子注入Si 损伤形成及演变综述 | 第27-34页 |
| ·H 离子注入单晶Si 材料研究进展 | 第27-30页 |
| ·He 离子注入单晶Si 材料研究进展 | 第30-33页 |
| ·He 和H 离子联合注入单晶Si 材料研究进展 | 第33-34页 |
| ·利用智能剥离(Smart-cut)技术制备SOI 材料过程简述 | 第34-37页 |
| ·SOI 材料简介 | 第34页 |
| ·智能剥离(Smart-cut)技术 | 第34-37页 |
| 第三章 实验过程及其基本原理 | 第37-60页 |
| ·样品制备 | 第37页 |
| ·样品的离子注入及退火 | 第37-45页 |
| ·样品的离子注入 | 第37-42页 |
| ·离子注入装置 | 第42-44页 |
| ·退火过程 | 第44-45页 |
| ·测试方法及基本原理简述 | 第45-60页 |
| ·PAS 测试及其基本原理 | 第45-49页 |
| ·ERDA 测试及其基本原理 | 第49-53页 |
| ·TDS 测试及其基本原理 | 第53-54页 |
| ·SEM 测试及其基本原理 | 第54-56页 |
| ·AFM观测及其基本原理 | 第56-57页 |
| ·XTEM 测试及其基本原理 | 第57-60页 |
| 第四章 He 离子注入单晶Si 空腔生长及He 热解吸结果和分析 | 第60-72页 |
| ·XTEM结果 | 第60-63页 |
| ·40 keV He 离子注入单晶Si 的XTEM 结果 | 第60-62页 |
| ·160 keV He 离子注入单晶Si 的XTEM 结果 | 第62-63页 |
| ·TDS观测结果 | 第63-65页 |
| ·40 keV He 离子注入单晶Si 的He 气体热释放结果 | 第64-65页 |
| ·160 keV He 离子注入单晶Si 的He 气体热释放结果 | 第65页 |
| ·PL 谱测试结果 | 第65-67页 |
| ·结果讨论 | 第67-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 表面氧化层对He 注入空腔形成及He 气体热释放的影响 | 第72-81页 |
| ·XTEM 观测结果 | 第72-74页 |
| ·40 keV He离子注入Si02/Si的XTEM结果 | 第72-74页 |
| ·160 keV He离子注入Si02/Si的XTEM结果 | 第74页 |
| ·TDS 测试结果 | 第74-76页 |
| ·40 keV He离子注入Si02/Si的He气体热释放结果 | 第74-75页 |
| ·160 keV He离子注入Si02/Si的He气体热释放结果 | 第75-76页 |
| ·结果讨论 | 第76-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第六章 表面氮化层对He 注入空腔形成及He 气体热释放的影响 | 第81-89页 |
| ·XTEM 观测结果 | 第81-84页 |
| ·40 keV He离子注入Si3N4/Si的XTEM结果 | 第81-83页 |
| ·160 keV He离子注入Si3N4/Si的XTEM结果 | 第83-84页 |
| ·TDS观测结果 | 第84-86页 |
| ·结果讨论 | 第86-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 第七章 He 和H 离子联合注入单晶Si 损伤形成及其机制 | 第89-113页 |
| ·160 keV He 和40 keV H 离子联合注入单晶Si 的实验结果及分析 | 第89-100页 |
| ·SEM 结果及分析 | 第89-91页 |
| ·AFM 结果及分析 | 第91-94页 |
| ·PAS 结果及分析 | 第94-97页 |
| ·ERDA 结果及分析 | 第97-98页 |
| ·XTEM 结果及分析 | 第98-100页 |
| ·160 keV He 和110 keV H 离子联合注入单晶Si 的实验结果及分析. | 第100-104页 |
| ·SEM 结果及分析 | 第100-101页 |
| ·AFM 结果及分析 | 第101-102页 |
| ·PAS 结果及分析 | 第102-103页 |
| ·XTEM 结果及分析 | 第103-104页 |
| ·160 keV He 和160 keV H 离子联合注入单晶Si 的实验结果及分析. | 第104-106页 |
| ·160 keV H 离子注入单晶Si 的XTEM 结果 | 第104-105页 |
| ·160 keV He 和160 keV H 离子注入Si 的XTEM 结果 | 第105-106页 |
| ·结果讨论 | 第106-112页 |
| ·本章小节 | 第112-113页 |
| 第八章结论与展望 | 第113-116页 |
| 参考文献 | 第116-125页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第125-127页 |
| 致谢 | 第127页 |
