| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-44页 |
| ·引言 | 第16-18页 |
| ·空间辐照环境 | 第18-21页 |
| ·地磁俘获辐射带 | 第18-21页 |
| ·银河宇宙射线 | 第21页 |
| ·太阳宇宙射线 | 第21页 |
| ·荷电粒子束辐照效应 | 第21-25页 |
| ·电离效应 | 第22页 |
| ·离位效应 | 第22-24页 |
| ·辐照效应产生的缺陷 | 第24-25页 |
| ·Mo/Si多层膜反射镜辐照效应研究进展 | 第25-30页 |
| ·半导体材料辐照效应的研究进展 | 第30-42页 |
| ·粒子束辐照损伤效应 | 第30-34页 |
| ·半导体材料的辐照改性效应 | 第34-42页 |
| ·本文主要研究内容 | 第42-44页 |
| 第二章 实验材料、设备及研究方法 | 第44-52页 |
| ·实验材料 | 第44-45页 |
| ·辐照设备 | 第45-48页 |
| ·质子束辐照设备 | 第45-46页 |
| ·脉冲电子束辐照设备 | 第46-48页 |
| ·分析测试方法 | 第48-52页 |
| ·物理性能测试 | 第48-49页 |
| ·表面形貌及微观结构分析 | 第49-52页 |
| 第三章 本底真空对Mo/Si多层膜反射镜微观结构和物理性能的影响 | 第52-64页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·实验部分 | 第52-53页 |
| ·实验结果与分析 | 第53-63页 |
| ·Mo/Si多层膜光学性能 | 第53-54页 |
| ·X射线分析 | 第54-58页 |
| ·透射电子显微镜分析 | 第58-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 Mo/Si多层膜反射镜的辐照效应研究 | 第64-80页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·实验部分 | 第65页 |
| ·质子辐照模拟分析 | 第65-67页 |
| ·实验结果与分析 | 第67-76页 |
| ·质子辐照前后Mo/Si多层膜反射率变化 | 第67-68页 |
| ·辐照前后Mo/Si多层膜表面结构的状态 | 第68-70页 |
| ·辐照前后Mo/Si多层膜微观结构状态 | 第70-76页 |
| ·Mo/Si多层膜反射镜的质子辐照效应及辐照机理 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 第五章 脉冲电子束辐照下单晶Si的微观结构与性能 | 第80-110页 |
| ·引言 | 第80-81页 |
| ·实验部分 | 第81-82页 |
| ·实验结果与分析 | 第82-108页 |
| ·表面熔坑 | 第82-85页 |
| ·表面微裂纹 | 第85-86页 |
| ·表面多孔结构 | 第86-88页 |
| ·位错结构 | 第88-91页 |
| ·层错与空位缺陷 | 第91-94页 |
| ·纳米及非晶结构 | 第94-99页 |
| ·表面自组装纳米结构 | 第99-105页 |
| ·光致发光性能 | 第105-108页 |
| ·本章小结 | 第108-110页 |
| 第六章 脉冲电子束辐照下单晶Ge的微观结构与性能 | 第110-130页 |
| ·引言 | 第110-111页 |
| ·实验部分 | 第111-112页 |
| ·实验结果与分析 | 第112-128页 |
| ·表面熔坑及裂纹 | 第112-113页 |
| ·表面缺陷结构 | 第113-114页 |
| ·表面自组装纳米结构 | 第114-124页 |
| ·纳米及非晶结构 | 第124-126页 |
| ·光致发光性能 | 第126-128页 |
| ·本章小结 | 第128-130页 |
| 第七章 结论、创新点与展望 | 第130-134页 |
| ·结论 | 第130-131页 |
| ·创新点 | 第131-132页 |
| ·展望 | 第132-134页 |
| 参考文献 | 第134-149页 |
| 致谢 | 第149-150页 |
| 攻读博士学位期间主要研究成果 | 第150-151页 |