| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·MEMS微细加工技术概述 | 第7-8页 |
| ·硅微通道阵列的应用 | 第8-11页 |
| ·宏孔硅及硅微通道板国内外研究现状概述 | 第11页 |
| ·主要研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 硅微通道结构和二氧化硅薄膜的制备原理 | 第13-21页 |
| ·光电化学刻蚀法制备硅微通道原理 | 第13-14页 |
| ·二氧化硅薄膜的制备方法 | 第14-18页 |
| ·硅片热氧化动力学原理 | 第18-21页 |
| 第三章 硅微通道阵列氧化绝缘实验研究 | 第21-32页 |
| ·制备硅微通道阵列 | 第21-27页 |
| ·热氧化法制备SiO_2绝缘层工艺实验 | 第27-30页 |
| ·硅微通道阵列SiO_2绝缘层退火实验 | 第30-31页 |
| ·绝缘层厚度及击穿电压强度测试 | 第31-32页 |
| 第四章 氧化绝缘层击穿电压特性分析及热应力分析 | 第32-48页 |
| ·热氧化条件对SiO_2绝缘层击穿电压特性的影响 | 第32-33页 |
| ·退火对硅微通道阵列SiO_2绝缘层击穿电压的影响 | 第33-34页 |
| ·硅微通道阵列SiO_2绝缘层厚度对电击穿特性的影响 | 第34-40页 |
| ·通过ANSYS有限元分析的热应力分布区域分析 | 第40-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |