| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| ·化合物半导体及其应用 | 第14-16页 |
| ·半导体中的缺陷物理问题 | 第16-20页 |
| ·半导体器件中电磁波的发射和传感机理 | 第20-23页 |
| ·本论文的研究意义 | 第23-26页 |
| 第二章 密度泛函理论基础 | 第26-50页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第26-27页 |
| ·伯恩-奥本海默近似 | 第27-30页 |
| ·哈特里-福克近似 | 第30-32页 |
| ·密度泛函理论基本思想 | 第32-41页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理和Kohn-Sham方程 | 第33-40页 |
| ·交换关联能量泛函(LDA和GGA) | 第40-41页 |
| ·含时密度泛函理论 | 第41-50页 |
| ·Runge-Gross定理 | 第42-45页 |
| ·含时 Kohn-sham 方程 | 第45-48页 |
| ·交换关联能量泛函(ALDA) | 第48-50页 |
| 第三章 Alpha-石英晶体掺杂理论研究 | 第50-66页 |
| ·石英晶体介绍以及研究意义 | 第50-54页 |
| ·计算方法 | 第54-56页 |
| ·二氧化硅中替位杂质的局域结构 | 第56-58页 |
| ·二氧化硅中替位杂质的形成能 | 第58-61页 |
| ·二氧化硅中替位杂质的过渡能级 | 第61-63页 |
| ·本章总结 | 第63-66页 |
| 第四章 太阳能电池材料CZTS本征点缺陷理论研究 | 第66-80页 |
| ·太阳能电池材料CZTS介绍以及研究背景 | 第66-72页 |
| ·计算方法 | 第72-73页 |
| ·生成CZTS的化学势空间 | 第73-75页 |
| ·本征点缺陷的形成能和过渡能级 | 第75-79页 |
| ·本章总结 | 第79-80页 |
| 第五章 氮化硼中氢作用机理理论研究 | 第80-92页 |
| ·研究背景 | 第80-85页 |
| ·计算方法 | 第85页 |
| ·氢在氮化硼中存在的形式及其稳定性 | 第85-90页 |
| ·铝杂质对于氢在氮化硼中存在形式的影响 | 第90-91页 |
| ·本章总结 | 第91-92页 |
| 第六章 量子photo-Dember效应的第一性原理预测 | 第92-104页 |
| ·Photo-Dember效应以及研究背景 | 第92-95页 |
| ·计算方法 | 第95-96页 |
| ·半导体表面载流子扩散过程 | 第96-100页 |
| ·载流子扩散过程的理解 | 第100-102页 |
| ·载流子扩散过程与温度的关系 | 第102-103页 |
| ·本章总结 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-112页 |
| 作者简介 | 第112-114页 |
| 攻读博士期间已发表及待发表的学术论文 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |