SiC半导体材料抗辐照特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·等离子体 | 第8页 |
| ·气体放电 | 第8-11页 |
| ·射频放电的电极结构 | 第11-13页 |
| ·等离子体在材料辐照损伤中的应用 | 第13-14页 |
| ·碳化硅半导体材料的研究现状 | 第14-15页 |
| ·碳化硅半导体材料的应用与优势 | 第15-16页 |
| ·论文研究的目的、意义和研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 等离子体辐照平台的搭建及测试仪器 | 第18-33页 |
| ·等离子体辐照平台的总体设计 | 第18-25页 |
| ·等离子体辐照平台原理 | 第18-19页 |
| ·等离子体辐照平台设计 | 第19-21页 |
| ·放电真空室设计 | 第21-22页 |
| ·射频离子源设计 | 第22-24页 |
| ·激光加热系统设计 | 第24-25页 |
| ·等离子体辐照平台操作流程 | 第25-26页 |
| ·开机顺序 | 第25-26页 |
| ·关机顺序 | 第26页 |
| ·碳化硅半导体材料测试仪器 | 第26-31页 |
| ·原子力显微镜简介 | 第26-28页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| ·导电式原子力显微镜 | 第29-30页 |
| ·X射线衍射 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-33页 |
| 第三章 碳化硅半导体材料辐照及表征 | 第33-46页 |
| ·实验装置介绍 | 第33-34页 |
| ·实验方法 | 第34-35页 |
| ·原子平均离位损伤 | 第35-36页 |
| ·碳化硅样品表面形貌 | 第36-38页 |
| ·碳化硅力学性质分析 | 第38-40页 |
| ·碳化硅样品C-AFM测试 | 第40-42页 |
| ·第一原理计算 | 第42-43页 |
| ·碳化硅样品横断面分析 | 第43-44页 |
| ·碳化硅样品XRD测试 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第四章 结论及展望 | 第46-48页 |
| ·工作总结 | 第46-47页 |
| ·平台搭建工作 | 第46页 |
| ·碳化硅半导体材料辐照分析 | 第46-47页 |
| ·展望 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 攻读硕士期间发表的文章及申请的专利情况 | 第51页 |
