| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·MEMS技术的发展概述 | 第7-9页 |
| ·硅微通道阵列的发展简介 | 第9-12页 |
| ·硅微通道阵列结构释放简介 | 第12-14页 |
| ·硅微通道阵列整形技术简介 | 第14-16页 |
| ·本论文的研究意义和主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 硅微通道阵列结构释放与整形技术相关原理 | 第18-27页 |
| ·硅微通道阵列结构释放工艺原理 | 第18-22页 |
| ·硅微通道整形技术原理 | 第22-27页 |
| 第三章 硅微通道阵列结构释放技术 | 第27-41页 |
| ·硅微通道阵列结构释放工艺的实验研究 | 第27-31页 |
| ·硅微通道阵列通道保护技术研究 | 第31-36页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第36-41页 |
| 第四章 硅微通道阵列整形技术 | 第41-50页 |
| ·硅微通道阵列整形技术的实验研究 | 第41-42页 |
| ·(110)和(100)晶面腐蚀速率比对孔道形貌的影响 | 第42-44页 |
| ·腐蚀液温度对硅微通道形貌的影响 | 第44-46页 |
| ·腐蚀液浓度对硅微通道形貌的影响 | 第46-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |