首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--化合物半导体论文

InP材料表面改性及光学性质研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-7页
第一章 绪论第7-21页
   ·引言第7-8页
   ·半导激光器钝化研究进展第8-11页
   ·InP表面硫钝化研究进展第11-15页
   ·ALD法表面干法钝化研究进展第15-17页
   ·飞秒激光诱导半导体表面纳米结构研究进展第17-19页
   ·本论文的主要工作第19-21页
第二章 InP表面钝化技术理论研究第21-31页
   ·InP材料性质第21-23页
   ·半导体表面态及其对半导体器件的影响第23-25页
   ·半导体材料表面钝化介绍第25-26页
   ·InP表面钝化技术第26-29页
   ·飞秒激光诱导半导体表面纳米结构介绍第29-31页
第三章 InP湿法硫钝化实验及结果分析第31-42页
   ·引言第31页
   ·硫钝化溶液的选择第31-32页
   ·实验过程第32页
   ·仪器介绍第32-34页
   ·实验结果及分析第34-41页
   ·结论第41-42页
第四章 氧化铝薄膜提高硫钝化InP材料的光学稳定性研究第42-48页
   ·引言第42页
   ·实验过程第42-43页
   ·结果与讨论第43-46页
   ·结论第46-48页
第五章 飞秒激光诱导InP表面纳米结构及光学性质研究第48-54页
   ·引言第48页
   ·实验过程第48-50页
   ·实验结果与讨论第50-53页
   ·实验结论第53-54页
第六章 结论与展望第54-55页
致谢第55-56页
参考文献第56-59页
硕士期间的学术成果第59页

论文共59页,点击 下载论文
上一篇:硅微通道阵列通透结构释放与整形技术研究
下一篇:C波段射频功率放大器的研究