| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·GaSb材料的特点 | 第7-10页 |
| ·GaSb基器件电极接触的关键工艺 | 第10-11页 |
| ·国内外研究进展 | 第11-12页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 金属/半导体接触势垒的影响因素 | 第14-23页 |
| ·金属的功函数 | 第15-17页 |
| ·表面态 | 第17-19页 |
| ·半导体中电场的影响 | 第19-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 GaSb基金属/半导体接触实验工艺 | 第23-30页 |
| ·薄膜沉积 | 第23-24页 |
| ·原子层沉积系统(ALD) | 第24-27页 |
| ·磁控溅射系统 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 介电层厚度对GaSb二极管接触势垒的影响 | 第30-39页 |
| ·实验过程 | 第30-31页 |
| ·实验原理及电子输运机制 | 第31-34页 |
| ·实验结果及分析 | 第34-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第五章 ZnO介电层对GaSb二极管接触势垒的影响 | 第39-42页 |
| ·实验过程 | 第39-40页 |
| ·实验结果及分析 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第六章 结论 | 第42-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |